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IXGA12N60BD1

IXGA12N60BD1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGA12N60BD1
PNEDA Teilenummer IXGA12N60BD1
Beschreibung IGBT 600V 24A 100W TO263AA
Hersteller IXYS
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Auf Lager 4.644
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IXGA12N60BD1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGA12N60BD1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGA12N60BD1, IXGA12N60BD1 Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 71,06 KB)
PDFIXGP12N60B Datenblatt Cover
IXGP12N60B Datenblatt Seite 2

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IXGA12N60BD1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)24A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 12A
Leistung - max100W
Schaltenergie500µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge32nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.20ns/150ns
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263 (IXGA)

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Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 42A

Leistung - max

360W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

188nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

1.32µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXBH)

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

32A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 9A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

340µJ (on), 300µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

34nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

54ns/180ns

Testbedingung

480V, 9A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

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Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Alpha IGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

1.27mJ (on), 460µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

63nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

41ns/130ns

Testbedingung

400V, 40A, 7.5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

346ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

IRGP6690D-EPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

140A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 75A

Leistung - max

483W

Schaltenergie

2.4mJ (on), 2.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

140nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

85ns/222ns

Testbedingung

400V, 75A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

90ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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FGB40N6S2

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 20A

Leistung - max

290W

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Gate Charge

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Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

390V, 20A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

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