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IXGH10N170A

IXGH10N170A

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH10N170A
PNEDA Teilenummer IXGH10N170A
Beschreibung IGBT 1700V 10A 140W TO247
Hersteller IXYS
Stückpreis
1 ---------- $76,1108
50 ---------- $72,5432
100 ---------- $68,9755
200 ---------- $65,4078
400 ---------- $62,4347
500 ---------- $59,4616
Auf Lager 224
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXGH10N170A Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH10N170A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH10N170A, IXGH10N170A Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 565,64 KB)
PDFIXGT10N170A Datenblatt Cover
IXGT10N170A Datenblatt Seite 2 IXGT10N170A Datenblatt Seite 3 IXGT10N170A Datenblatt Seite 4 IXGT10N170A Datenblatt Seite 5

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IXGH10N170A Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1700V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)10A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)20A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic6V @ 15V, 5A
Leistung - max140W
Schaltenergie380µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge29nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.46ns/190ns
Testbedingung850V, 10A, 22Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

APT40GR120S

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

88A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 40A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

1.38mJ (on), 906µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

210nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/163ns

Testbedingung

600V, 40A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D3Pak

IRG4RC10SDTRPBFBTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFRED®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 8A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

310µJ (on), 3.28mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

15nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

76ns/815ns

Testbedingung

480V, 8A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

28ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-PAK (TO-252AA)

RGTH40TK65GC11

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 20A

Leistung - max

56W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

40nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/73ns

Testbedingung

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3PFM, SC-93-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PFM

AOD5B60D

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Alpha IGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

20A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 5A

Leistung - max

54.4W

Schaltenergie

140µJ (on), 40µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

9.4nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/82ns

Testbedingung

400V, 5A, 60Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

98ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

IRG7PH42UD2-EP

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.02V @ 15V, 30A

Leistung - max

321W

Schaltenergie

1.32mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

234nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/233ns

Testbedingung

600V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

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