IXGH32N60CD1
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| Teilenummer | IXGH32N60CD1 |
| PNEDA Teilenummer | IXGH32N60CD1 |
| Beschreibung | IGBT 600V 60A 200W TO247AD |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.582 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXGH32N60CD1 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXGH32N60CD1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXGH32N60CD1 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | HiPerFAST™, Lightspeed™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 60A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 32A |
| Leistung - max | 200W |
| Schaltenergie | 320µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 110nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 25ns/85ns |
| Testbedingung | 480V, 32A, 4.7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AD (IXGH) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 20A Leistung - max 220W Schaltenergie 95µJ (on), 100µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 68nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/115ns Testbedingung 390V, 13A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 42ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 16A Leistung - max 190W Schaltenergie 380µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 33nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/116ns Testbedingung 480V, 16A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 30ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263 AA (IXSA) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 450V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 20A Leistung - max 51.6W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220F |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 17A Leistung - max 40W Schaltenergie 200µJ (on), 210µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 37nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 35ns/80ns Testbedingung 300V, 17A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 100ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FL |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 300V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 10A Leistung - max 46W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 39nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 21ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220F |
