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IXGX35N120BD1

IXGX35N120BD1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGX35N120BD1
PNEDA Teilenummer IXGX35N120BD1
Beschreibung IGBT 1200V 70A 350W PLUS247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 2.790
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IXGX35N120BD1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGX35N120BD1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGX35N120BD1, IXGX35N120BD1 Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 41,96 KB)
PDFIXGX35N120BD1 Datenblatt Cover
IXGX35N120BD1 Datenblatt Seite 2

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IXGX35N120BD1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)70A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)140A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.3V @ 15V, 35A
Leistung - max350W
Schaltenergie3.8mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge170nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.50ns/180ns
Testbedingung960V, 35A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)60ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPLUS247™-3

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

99A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 70A

Leistung - max

350W

Schaltenergie

8.8mJ (on), 9.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

380nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/250ns

Testbedingung

960V, 70A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

110ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

201W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

125nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 30A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

400µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/130ns

Testbedingung

400V, 30A, 3.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 35A

Leistung - max

400W

Schaltenergie

2.3mJ (on), 1.6mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

300nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

90ns/340ns

Testbedingung

600V, 35A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

130ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

34A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

68A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 18A

Leistung - max

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Gate Charge

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Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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