IXTL2N450
Nur als Referenz
| Teilenummer | IXTL2N450 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | IXTL2N450 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | MOSFET N-CH 4500V 2A I5PAK | ||||||||||||||||||
| Hersteller | IXYS | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 1.710 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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IXTL2N450 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXTL2N450 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IXTL2N450 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 4500V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 6V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 156nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6900pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 220W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | ISOPLUSi5-Pak™ |
| Paket / Fall | ISOPLUSi5-Pak™ |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 14A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 4W (Ta), 150W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-254AA Paket / Fall TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
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