IXXP12N65B4D1
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| Teilenummer | IXXP12N65B4D1 |
| PNEDA Teilenummer | IXXP12N65B4D1 |
| Beschreibung | IGBT |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.074 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 20 - Mai 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IXXP12N65B4D1 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXXP12N65B4D1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IXXP12N65B4D1 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | XPT™, GenX4™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 38A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 70A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 12A |
| Leistung - max | 160W |
| Schaltenergie | 440µJ (on), 220µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 34nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 13ns/158ns |
| Testbedingung | 400V, 12A, 20Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 43ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 70A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 35A Leistung - max 250W Schaltenergie 1.6mJ (on), 800µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung 300V, 35A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
