IXXP12N65B4D1
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| Teilenummer | IXXP12N65B4D1 |
| PNEDA Teilenummer | IXXP12N65B4D1 |
| Beschreibung | IGBT |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.074 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 29 - Jul 4 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IXXP12N65B4D1 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXXP12N65B4D1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IXXP12N65B4D1 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | XPT™, GenX4™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 38A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 70A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 12A |
| Leistung - max | 160W |
| Schaltenergie | 440µJ (on), 220µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 34nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 13ns/158ns |
| Testbedingung | 400V, 12A, 20Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 43ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
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Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 310A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 840A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 140A Leistung - max 1630W Schaltenergie 4.3mJ (on), 4mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 330nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/145ns Testbedingung 450V, 100A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 70A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 35A Leistung - max 250W Schaltenergie 1.6mJ (on), 800µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung 300V, 35A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1500V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4.7V @ 15V, 40A Leistung - max 200W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 140nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 330V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.65V @ 15V, 24A Leistung - max 114W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 46nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 24ns/89ns Testbedingung 196V, 12A, 10Ohm Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.55V @ 15V, 35A Leistung - max 308W Schaltenergie 220µJ (on), 215µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 55nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 26ns/110ns Testbedingung 390V, 22A, 3.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 42ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD |
