IXXX200N60C3
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| Teilenummer | IXXX200N60C3 |
| PNEDA Teilenummer | IXXX200N60C3 |
| Beschreibung | IGBT 600V 200A PLUS247 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.968 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXXX200N60C3 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXXX200N60C3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXXX200N60C3 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | XPT™, GenX3™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 340A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 900A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
| Leistung - max | - |
| Schaltenergie | 3mJ (on), 1.7mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 315nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 47ns/125ns |
| Testbedingung | 360V, 100A, 1Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | PLUS247™-3 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 8™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 65A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 109A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A Leistung - max 290W Schaltenergie 307µJ (on), 254µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 102nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 16ns/122ns Testbedingung 400V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 12A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 6A Leistung - max 77W Schaltenergie 56µJ (on), 122µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 19.5nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/75ns Testbedingung 400V, 6A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 74ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D²PAK |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 13A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 52A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 6.5A Leistung - max 60W Schaltenergie 160µJ (on), 130µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 27nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 39ns/93ns Testbedingung 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 37ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 40A Leistung - max 543W Schaltenergie 825µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 145nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 16ns/75ns Testbedingung 600V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
