MPSH81
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| Teilenummer | MPSH81 |
| PNEDA Teilenummer | MPSH81_105 |
| Beschreibung | RF TRANS PNP 20V 600MHZ TO92 |
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.102 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 30 - Jul 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MPSH81 Ressourcen
| Marke | Central Semiconductor Corp |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MPSH81 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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MPSH81 Technische Daten
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 20V |
| Frequenz - Übergang | 600MHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | - |
| Leistung - max | 350mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50mA |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Lieferantengerätepaket | TO-92 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 7.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.3dB @ 900MHz Gewinn 9.7dB Leistung - max 700mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket PG-SOT343-4 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz Gewinn - Leistung - max 400mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 40mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket SOT-143B |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 55V Frequenz - Übergang 30MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 14dB Leistung - max 233W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 15 @ 1.4A, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M164 Lieferantengerätepaket M164 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz Gewinn - Leistung - max 500mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 20mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-343 Reverse Pinning Lieferantengerätepaket 4-SO |
