MS2211
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| Teilenummer | MS2211 |
| PNEDA Teilenummer | MS2211 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 48V 1.215GHZ M222 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.632 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MS2211 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MS2211 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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MS2211 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 48V |
| Frequenz - Übergang | 960MHz ~ 1.215GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 9.3dB |
| Leistung - max | 25W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 30 @ 250mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 900mA |
| Betriebstemperatur | 250°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | M222 |
| Lieferantengerätepaket | M222 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 500MHz Gewinn 13dB ~ 15.5dB Leistung - max 1.25W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 6V Frequenz - Übergang 12GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.5dB @ 2GHz Gewinn 10dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 75 @ 30mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket SOT-143 |
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Hersteller STMicroelectronics Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 55V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 14dB Leistung - max 318W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 18 @ 1.4A, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall M174 Lieferantengerätepaket M174 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 1.03GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 8dB ~ 9dB Leistung - max 1944W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Betriebstemperatur 230°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55SM Lieferantengerätepaket 55SM |
