MT3S20TU(TE85L)
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| Teilenummer | MT3S20TU(TE85L) |
| PNEDA Teilenummer | MT3S20TU-TE85L |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 12V 7GHZ UFM |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.094 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 8 - Jul 13 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MT3S20TU(TE85L) Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MT3S20TU(TE85L) |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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MT3S20TU(TE85L) Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 7GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.45dB @ 20mA, 5V |
| Gewinn | 12dB |
| Leistung - max | 900mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 3-SMD, Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | UFM |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 11GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.4dB @ 1.8GHz Gewinn 10.5dB Leistung - max 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 30mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60mA Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket SOT-223 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 6GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn 10.5dB ~ 15.5dB Leistung - max 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 30mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 90mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket PG-SOT323-3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang 1.2GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 12dB Leistung - max 2.5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 50mA, 15V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 400mA Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-39 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 6GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.7dB ~ 2.3dB @ 1GHz ~ 2GHz Gewinn - Leistung - max 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 30mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket SOT-143B |
