MT3S20TU(TE85L)
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| Teilenummer | MT3S20TU(TE85L) |
| PNEDA Teilenummer | MT3S20TU-TE85L |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 12V 7GHZ UFM |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.094 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 20 - Mai 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MT3S20TU(TE85L) Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MT3S20TU(TE85L) |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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MT3S20TU(TE85L) Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 7GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.45dB @ 20mA, 5V |
| Gewinn | 12dB |
| Leistung - max | 900mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 3-SMD, Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | UFM |
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Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 4.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.2dB @ 1GHz Gewinn 9dB Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 7mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket SOT-323 |
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