Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

PMDXB950UPEZ

PMDXB950UPEZ

Nur als Referenz

Teilenummer PMDXB950UPEZ
PNEDA Teilenummer PMDXB950UPEZ
Beschreibung MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
Hersteller Nexperia
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.582
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 25 - Mai 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PMDXB950UPEZ Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPMDXB950UPEZ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
PMDXB950UPEZ, PMDXB950UPEZ Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 727,39 KB)
PDFPMDXB950UPEZ Datenblatt Cover
PMDXB950UPEZ Datenblatt Seite 2 PMDXB950UPEZ Datenblatt Seite 3 PMDXB950UPEZ Datenblatt Seite 4 PMDXB950UPEZ Datenblatt Seite 5 PMDXB950UPEZ Datenblatt Seite 6 PMDXB950UPEZ Datenblatt Seite 7 PMDXB950UPEZ Datenblatt Seite 8 PMDXB950UPEZ Datenblatt Seite 9 PMDXB950UPEZ Datenblatt Seite 10 PMDXB950UPEZ Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • PMDXB950UPEZ Datasheet
  • where to find PMDXB950UPEZ
  • Nexperia

  • Nexperia PMDXB950UPEZ
  • PMDXB950UPEZ PDF Datasheet
  • PMDXB950UPEZ Stock

  • PMDXB950UPEZ Pinout
  • Datasheet PMDXB950UPEZ
  • PMDXB950UPEZ Supplier

  • Nexperia Distributor
  • PMDXB950UPEZ Price
  • PMDXB950UPEZ Distributor

PMDXB950UPEZ Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.1nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds43pF @ 10V
Leistung - max265mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-XFDFN Exposed Pad
LieferantengerätepaketDFN1010B-6

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

APTM20AM10FTG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

175A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 87.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

224nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13700pF @ 25V

Leistung - max

694W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

IRF7389PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 25V

Leistung - max

2.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

IRF8313TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15.5mOhm @ 9.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

760pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

SI5915BDC-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

8V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

420pF @ 4V

Leistung - max

3.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

1206-8 ChipFET™

IPG20N10S4L35AATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 16µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.4nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1105pF @ 25V

Leistung - max

43W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount, Wettable Flank

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

PG-TDSON-8-10

Kürzlich verkauft

SD101CW-7-F

SD101CW-7-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 40V 15MA SOD123

ADG1434YRUZ

ADG1434YRUZ

Analog Devices

IC SWITCH QUAD SPDT 20TSSOP

M74VHC1G125DFT2G

M74VHC1G125DFT2G

ON Semiconductor

IC BUFFER NON-INVERT 5.5V SC88A

MF-USMF075-2

MF-USMF075-2

Bourns

PTC RESET FUSE 6V 750MA 1210

MCP6042-I/SN

MCP6042-I/SN

Microchip Technology

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC

STM32F103RCT6

STM32F103RCT6

STMicroelectronics

IC MCU 32BIT 256KB FLASH 64LQFP

L78L05ABUTR

L78L05ABUTR

STMicroelectronics

IC REG LINEAR 5V 100MA SOT89-3

TZB4R500AB10R00

TZB4R500AB10R00

Murata

CAP TRIMMER 7-50PF 50V SMD

ERJ-M1WSJ15MU

ERJ-M1WSJ15MU

Panasonic Electronic Components

RES 0.015 OHM 5% 1W 2512

AK4480EF

AK4480EF

AKM Semiconductor Inc.

IC DAC/AUDIO 32BIT 216K 30VSOP

1N4148WS-7-F

1N4148WS-7-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323

MP5505AGL-Z

MP5505AGL-Z

Monolithic Power Systems Inc.

IC REG BOOST 7V 4A