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RGT40TS65DGC11

RGT40TS65DGC11

Nur als Referenz

Teilenummer RGT40TS65DGC11
PNEDA Teilenummer RGT40TS65DGC11
Beschreibung IGBT 650V 40A 144W TO-247N
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 6.744
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RGT40TS65DGC11 Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRGT40TS65DGC11
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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RGT40TS65DGC11 Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 20A
Leistung - max144W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge40nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.22ns/75ns
Testbedingung400V, 20A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)58ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247N

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

18A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

27A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.65V @ 15V, 9A

Leistung - max

34W

Schaltenergie

59µJ (on), 177µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

25nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

34ns/84ns

Testbedingung

400V, 9A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

72ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220AB Full-Pak

APT33GF120BRG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

52A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

104A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 25A

Leistung - max

297W

Schaltenergie

2.8mJ (on), 2.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

170nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/210ns

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

APT80GA90B

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

145A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

239A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 47A

Leistung - max

625W

Schaltenergie

1652µJ (on), 1389µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

200nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/149ns

Testbedingung

600V, 47A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

RJH1CF6RDPQ-80#T2

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 30A

Leistung - max

227.2W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

AOK60B60D1

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Hersteller

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Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

210A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 60A

Leistung - max

417W

Schaltenergie

3.1mJ (on), 730µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

75nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

32ns/74ns

Testbedingung

400V, 60A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

137ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

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