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RJH60V1BDPE-00#J3

RJH60V1BDPE-00#J3

Nur als Referenz

Teilenummer RJH60V1BDPE-00#J3
PNEDA Teilenummer RJH60V1BDPE-00-J3
Beschreibung IGBT 600V 16A 52W LDPAK
Hersteller Renesas Electronics America
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RJH60V1BDPE-00#J3 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRJH60V1BDPE-00#J3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
RJH60V1BDPE-00#J3, RJH60V1BDPE-00#J3 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 102,51 KB)
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RJH60V1BDPE-00#J3 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)16A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 8A
Leistung - max52W
Schaltenergie17µJ (on), 110µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge19nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.30ns/55ns
Testbedingung300V, 8A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)25ns
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-83
Lieferantengerätepaket4-LDPAK

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

20A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

5.5V @ 10V, 5A

Leistung - max

62.5W

Schaltenergie

190µJ (on), 100µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

30nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

10ns/30ns

Testbedingung

600V, 5A, 10Ohm, 10V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-3PF

RJH60T04DPQ-A0#T0

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 30A

Leistung - max

208.3W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

87nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

54ns/136ns

Testbedingung

300V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247A

IRGB14C40LPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

430V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.75V @ 5V, 14A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

900ns/6µs

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IRG8P75N65UD1-EPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

RGT40TS65DGC11

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 20A

Leistung - max

144W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

40nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/75ns

Testbedingung

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

58ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

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