RJM0306JSP-01#J0
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| Teilenummer | RJM0306JSP-01#J0 |
| PNEDA Teilenummer | RJM0306JSP-01-J0 |
| Beschreibung | MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.5A 8-SOP |
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.770 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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RJM0306JSP-01#J0 Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RJM0306JSP-01#J0 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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RJM0306JSP-01#J0 Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate, 4V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 10V |
| Leistung - max | 2.2W |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
