Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SGH40N60UFTU

SGH40N60UFTU

Nur als Referenz

Teilenummer SGH40N60UFTU
PNEDA Teilenummer SGH40N60UFTU
Beschreibung IGBT 600V 40A 160W TO3P
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 2.340
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 14 - Jul 19 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SGH40N60UFTU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSGH40N60UFTU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
SGH40N60UFTU, SGH40N60UFTU Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 744,39 KB)
PDFSGH40N60UFTU Datenblatt Cover
SGH40N60UFTU Datenblatt Seite 2 SGH40N60UFTU Datenblatt Seite 3 SGH40N60UFTU Datenblatt Seite 4 SGH40N60UFTU Datenblatt Seite 5 SGH40N60UFTU Datenblatt Seite 6 SGH40N60UFTU Datenblatt Seite 7 SGH40N60UFTU Datenblatt Seite 8 SGH40N60UFTU Datenblatt Seite 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SGH40N60UFTU Datasheet
  • where to find SGH40N60UFTU
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor SGH40N60UFTU
  • SGH40N60UFTU PDF Datasheet
  • SGH40N60UFTU Stock

  • SGH40N60UFTU Pinout
  • Datasheet SGH40N60UFTU
  • SGH40N60UFTU Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • SGH40N60UFTU Price
  • SGH40N60UFTU Distributor

SGH40N60UFTU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)160A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 20A
Leistung - max160W
Schaltenergie160µJ (on), 200µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge97nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.15ns/65ns
Testbedingung300V, 20A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3
LieferantengerätepaketTO-3P

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRGC4056B

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

HGTD7N60C3S9A

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

56A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 7A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

165µJ (on), 600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

23nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252AA

STGWT20H65FB

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 20A

Leistung - max

168W

Schaltenergie

77µJ (on), 170µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/139ns

Testbedingung

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

RGTH00TK65DGC11

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Leistung - max

72W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

94nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

39ns/143ns

Testbedingung

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

225ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3PFM, SC-93-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PFM

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 30A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

390µJ (on), 800µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

80nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/125ns

Testbedingung

400V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

Kürzlich verkauft

MT41J128M16HA-15E:D

MT41J128M16HA-15E:D

Micron Technology Inc.

IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

EE-SY124

EE-SY124

Omron Electronics Inc-EMC Div

SENSR OPTO TRANS 1MM REFL TH PCB

TLP785(GRH-TP6,F)

TLP785(GRH-TP6,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD

N25Q064A13ESE40E

N25Q064A13ESE40E

Micron Technology Inc.

IC FLASH 64M SPI 108MHZ 8SO

KSZ9031RNXIC

KSZ9031RNXIC

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER FULL 4/4 48QFN

MAX8902BATA+T

MAX8902BATA+T

Maxim Integrated

IC REG LIN POS ADJ 500MA 8TDFN

B360B-13-F

B360B-13-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMB

ADG1334BRSZ

ADG1334BRSZ

Analog Devices

IC SWITCH QUAD SPDT 20SSOP

HM0068ANL

HM0068ANL

Pulse Electronics Network

PULSE XFMR 1CT:1CT TX 1CT:1CT RX

ULN2003ADR2G

ULN2003ADR2G

ON Semiconductor

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO

MAX17205G+T

MAX17205G+T

Maxim Integrated

IC BATTERY MULTIFUNCTION 14TDFN

S1M-13-F

S1M-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA