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SI7218DN-T1-GE3

SI7218DN-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SI7218DN-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SI7218DN-T1-GE3
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
Hersteller Vishay Siliconix
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SI7218DN-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI7218DN-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI7218DN-T1-GE3, SI7218DN-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 571,59 KB)
PDFSI7218DN-T1-E3 Datenblatt Cover
SI7218DN-T1-E3 Datenblatt Seite 2 SI7218DN-T1-E3 Datenblatt Seite 3 SI7218DN-T1-E3 Datenblatt Seite 4 SI7218DN-T1-E3 Datenblatt Seite 5 SI7218DN-T1-E3 Datenblatt Seite 6 SI7218DN-T1-E3 Datenblatt Seite 7 SI7218DN-T1-E3 Datenblatt Seite 8 SI7218DN-T1-E3 Datenblatt Seite 9 SI7218DN-T1-E3 Datenblatt Seite 10 SI7218DN-T1-E3 Datenblatt Seite 11

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SI7218DN-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.24A
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds700pF @ 15V
Leistung - max23W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallPowerPAK® 1212-8 Dual
LieferantengerätepaketPowerPAK® 1212-8 Dual

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Serie

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FET-Typ

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

61mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.9nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

915pF @ 6V

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

33A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

420pF @ 30V

Leistung - max

58W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

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IPG16N10S461AATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

61mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 9µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

490pF @ 25V

Leistung - max

29W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount, Wettable Flank

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

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APTM08TAM04PG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

120A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

153nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4530pF @ 25V

Leistung - max

138W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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ZXMD65N02N8TA

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

2W

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