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SQ4282EY-T1_GE3

SQ4282EY-T1_GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SQ4282EY-T1_GE3
PNEDA Teilenummer SQ4282EY-T1_GE3
Beschreibung MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC
Hersteller Vishay Siliconix
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SQ4282EY-T1_GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSQ4282EY-T1_GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SQ4282EY-T1_GE3, SQ4282EY-T1_GE3 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 185,62 KB)
PDFSQ4282EY-T1_GE3 Datenblatt Cover
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SQ4282EY-T1_GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs12.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs47nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2367pF @ 15V
Leistung - max3.9W
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

SI9936DY

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

525pF @ 15V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

FDMQ8203

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

GreenBridge™ PowerTrench®

FET-Typ

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V, 80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.4A, 2.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 50V

Leistung - max

2.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

12-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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DMC3071LVT-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel Complementary

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.6A (Ta), 3.3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 3.5A, 10V, 95mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 10V, 6.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 15V, 254pF @ 15V

Leistung - max

700mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

630pF @ 16V

Leistung - max

1.39W

Betriebstemperatur

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