SQJ980AEP-T1_GE3
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| Teilenummer | SQJ980AEP-T1_GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SQJ980AEP-T1_GE3 |
| Beschreibung | MOSFET 2 N-CH 75V POWERPAK SO8 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.902 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 23 - Jul 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SQJ980AEP-T1_GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SQJ980AEP-T1_GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SQJ980AEP-T1_GE3, SQJ980AEP-T1_GE3 Datenblatt
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SQJ980AEP-T1_GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 17A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 3.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 790pF @ 35V |
| Leistung - max | 34W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SO-8 Dual |
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