SSM3J46CTB(TPL3)
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| Teilenummer | SSM3J46CTB(TPL3) |
| PNEDA Teilenummer | SSM3J46CTB-TPL3 |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 20V 2A CST3B |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.200 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 5 - Mai 10 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SSM3J46CTB(TPL3) Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SSM3J46CTB(TPL3) |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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SSM3J46CTB(TPL3) Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSVI |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 103mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | CST3B |
| Paket / Fall | 3-SMD, No Lead |
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