SSM6L12TU,LF
Nur als Referenz
| Teilenummer | SSM6L12TU,LF |
| PNEDA Teilenummer | SSM6L12TU-LF |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 30V 500MA UF6 |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.246 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 20 - Jul 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SSM6L12TU Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SSM6L12TU,LF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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SSM6L12TU Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 500mA (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 145mOhm @ 500mA, 4.5V, 260mOhm @ 250mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 245pF @ 10V, 218pF @ 10V |
| Leistung - max | 500mW |
| Betriebstemperatur | 150°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-SMD, Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | UF6 |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20A (Tc), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.4mOhm @ 6A, 10V, 3.9mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA, 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC, 75nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF, 3900pF @ 25V Leistung - max 27W (Tc), 48W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® SO-8 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 880pF @ 20V Leistung - max 20.8W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® 1212-8 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8 Dual |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 700mA (Tc), 460mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 388mOhm @ 600mA, 10V, 1.07Ohm @ 400mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.1nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 28pF @ 15V, 21pF @ 15V Leistung - max 340mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-70-6 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 450V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 700mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.1Ohm @ 350mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.7nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 55pF @ 20V Leistung - max 1.6W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1340pF @ 16V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
