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SSM6L12TU,LF

SSM6L12TU,LF

Nur als Referenz

Teilenummer SSM6L12TU,LF
PNEDA Teilenummer SSM6L12TU-LF
Beschreibung MOSFET N/P-CH 30V 500MA UF6
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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Auf Lager 6.246
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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SSM6L12TU Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSSM6L12TU,LF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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SSM6L12TU Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs145mOhm @ 500mA, 4.5V, 260mOhm @ 250mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id1.1V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds245pF @ 10V, 218pF @ 10V
Leistung - max500mW
Betriebstemperatur150°C
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-SMD, Flat Leads
LieferantengerätepaketUF6

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Vishay Siliconix

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FET-Typ

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FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Tc), 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.4mOhm @ 6A, 10V, 3.9mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA, 2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC, 75nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF, 3900pF @ 25V

Leistung - max

27W (Tc), 48W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

SI7905DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

880pF @ 20V

Leistung - max

20.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® 1212-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 1212-8 Dual

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

700mA (Tc), 460mA (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

388mOhm @ 600mA, 10V, 1.07Ohm @ 400mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.1nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

28pF @ 15V, 21pF @ 15V

Leistung - max

340mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

450V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

700mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.1Ohm @ 350mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

55pF @ 20V

Leistung - max

1.6W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1340pF @ 16V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

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