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STGB6NC60HD-1

STGB6NC60HD-1

Nur als Referenz

Teilenummer STGB6NC60HD-1
PNEDA Teilenummer STGB6NC60HD-1
Beschreibung IGBT 600V 15A 56W I2PAK
Hersteller STMicroelectronics
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STGB6NC60HD-1 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGB6NC60HD-1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGB6NC60HD-1, STGB6NC60HD-1 Datenblatt (Total Pages: 24, Größe: 916,11 KB)
PDFSTGP6NC60H Datenblatt Cover
STGP6NC60H Datenblatt Seite 2 STGP6NC60H Datenblatt Seite 3 STGP6NC60H Datenblatt Seite 4 STGP6NC60H Datenblatt Seite 5 STGP6NC60H Datenblatt Seite 6 STGP6NC60H Datenblatt Seite 7 STGP6NC60H Datenblatt Seite 8 STGP6NC60H Datenblatt Seite 9 STGP6NC60H Datenblatt Seite 10 STGP6NC60H Datenblatt Seite 11

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STGB6NC60HD-1 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SeriePowerMESH™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)15A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)21A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 3A
Leistung - max56W
Schaltenergie20µJ (on), 68µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge13.6nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.12ns/76ns
Testbedingung390V, 3A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)21ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
LieferantengerätepaketI2PAK

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Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

Leistung - max

400W

Schaltenergie

4.7mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

135nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/350ns

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

200ns

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

130A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

250A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 36A

Leistung - max

600W

Schaltenergie

1.3mJ (on), 370µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

80nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/80ns

Testbedingung

400V, 36A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263

NGTB45N60S1WG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 45A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

1.25mJ (on), 530µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

125nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

72ns/132ns

Testbedingung

400V, 45A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

70ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IRG4BC30KD-SPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

28A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

56A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 16A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

600µJ (on), 580µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

67nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/160ns

Testbedingung

480V, 16A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

STGB30M65DF2

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Leistung - max

258W

Schaltenergie

300µJ (on), 960µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

80nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31.6ns/115ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Kürzlich verkauft

74HC160N,652

74HC160N,652

NXP

IC SYNC BCD DECADE COUNT 16DIP

74HC32D,652

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Nexperia

IC GATE OR 4CH 2-INP 14SO

MT41K128M16JT-125 XIT:K

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IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

LTC3642EMS8E-5#PBF

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IC REG BUCK 5V 50MA 8MSOP

DS2781E+T&R

DS2781E+T&R

Maxim Integrated

IC FUEL GAUGE BATT 8TSSOP

CPV364M4U

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Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT SIP MODULE 600V 10A IMS-2

WSL1206R0500FEA

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Vishay Dale

RES 0.05 OHM 1% 1/4W 1206

GP10J-E3/54

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Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

LSM115JE3/TR13

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Microsemi

DIODE SCHOTTKY 15V 1A DO214BA

MC33174DR2G

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ON Semiconductor

IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14SOIC

BAS516,115

BAS516,115

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DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523

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