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STGWA50M65DF2

STGWA50M65DF2

Nur als Referenz

Teilenummer STGWA50M65DF2
PNEDA Teilenummer STGWA50M65DF2
Beschreibung TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 6.750
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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STGWA50M65DF2 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGWA50M65DF2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGWA50M65DF2, STGWA50M65DF2 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 993,91 KB)
PDFSTGWA50M65DF2 Datenblatt Cover
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STGWA50M65DF2 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieM
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 50A
Leistung - max375W
Schaltenergie880µJ (on), 1.57mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge150nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.42ns/130ns
Testbedingung400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)162ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247 Long Leads

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Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 4A

Leistung - max

65W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

13.5nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/69ns

Testbedingung

400V, 4A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

40ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

LPDS (TO-263S)

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

66A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

152A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 39A

Leistung - max

140W

Schaltenergie

4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

125nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/250ns

Testbedingung

480V, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

STGWA80H65DFB

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 80A

Leistung - max

469W

Schaltenergie

2.1mJ (on), 1.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

414nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

84ns/280ns

Testbedingung

400V, 80A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

85ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 Long Leads

IKP20N65F5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

42A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 20A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

160µJ (on), 60µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

48nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/165ns

Testbedingung

400V, 10A, 32Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

53ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

330A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 50A

Leistung - max

240W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

137nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

230ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

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