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TIG056BF-1E

TIG056BF-1E

Nur als Referenz

Teilenummer TIG056BF-1E
PNEDA Teilenummer TIG056BF-1E
Beschreibung IGBT 430V 240A 30W TO-220F-3FS
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.866
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TIG056BF-1E Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTIG056BF-1E
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
TIG056BF-1E, TIG056BF-1E Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 217,61 KB)
PDFTIG056BF-1E Datenblatt Cover
TIG056BF-1E Datenblatt Seite 2 TIG056BF-1E Datenblatt Seite 3 TIG056BF-1E Datenblatt Seite 4 TIG056BF-1E Datenblatt Seite 5 TIG056BF-1E Datenblatt Seite 6

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TIG056BF-1E Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)430V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Strom - Kollektor gepulst (Icm)240A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic5V @ 15V, 240A
Leistung - max30W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge-
Td (ein / aus) bei 25 ° C.46ns/140ns
Testbedingung320V, 240A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3 Full Pack
LieferantengerätepaketTO-220F-3FS

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Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

8A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 2A

Leistung - max

25W

Schaltenergie

560µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

7.8nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/300ns

Testbedingung

800V, 2A, 150Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

NGTB15N120IHWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 15A

Leistung - max

278W

Schaltenergie

360µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/130ns

Testbedingung

600V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 40A

Leistung - max

380W

Schaltenergie

4.5mJ (on), 3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

138nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/290ns

Testbedingung

960V, 40A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

54A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 10A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

240µJ (on), 110µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

18nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/77ns

Testbedingung

400V, 10A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

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