Speicher-ICs

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MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 2T PARALLEL 167MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 2Tb (256G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 152-LBGA Lieferantengerätepaket: 152-LBGA (14x18)	Auf Lager8.136
MT29E2T08CUHBBM4-3:B Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 2T PARALLEL 333MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 2Tb (256G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager134
MT29E2T08CUHBBM4-3:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 2T PARALLEL 333MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 2Tb (256G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.876
MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 2T PARALLEL 333MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 2Tb (256G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.547
MT29E384G08EBHBBJ4-3:B Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 384Gb (48G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 132-VBGA (12x18)	Auf Lager2.142
MT29E384G08EBHBBJ4-3:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 384Gb (48G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 132-VBGA (12x18)	Auf Lager8.586
MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 384Gb (48G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 132-VBGA (12x18)	Auf Lager5.040
MT29E3T08EQHBBG2-3:B Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 3Tb (384G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 272-LFBGA Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.362
MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 3Tb (384G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 272-LFBGA Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.376
MT29E3T08EUHBBM4-3:B Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 3Tb (384G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.411
MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 3Tb (384G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.258
MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 3Tb (384G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.956
MT29E4T08CTHBBM5-3:B Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 4Tb (512G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.712
MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 4Tb (512G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.878
MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 4Tb (512G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.760
MT29E4T08EYHBBG9-3:B Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 4Tb (512G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.474
MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 4Tb (512G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.858
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 512Gb (64G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 132-VBGA (12x18)	Auf Lager581
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 512Gb (64G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 132-VBGA (12x18)	Auf Lager5.868
MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 512Gb (64G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 132-VBGA (12x18)	Auf Lager4.428
MT29E512G08CKCBBH7-6:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 512Gb (64G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 152-TBGA	Auf Lager5.814
MT29E512G08CKCCBH7-6:C Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 512Gb (64G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 152-TBGA Lieferantengerätepaket: 152-TBGA	Auf Lager7.920
MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 512Gb (64G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 152-TBGA Lieferantengerätepaket: 152-TBGA	Auf Lager3.564
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 512Gb (64G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.978
MT29E512G08CMCCBH7-6:C Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 512Gb (64G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 152-TBGA	Auf Lager7.290
MT29E512G08CMCCBH7-6:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 512Gb (64G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 152-TBGA	Auf Lager8.046
MT29E512G08CMCCBH7-6ES:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 512Gb (64G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 152-TBGA	Auf Lager5.382
MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 512G PARALLEL 132LBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 512Gb (64G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 132-LBGA Lieferantengerätepaket: 132-LBGA (12x18)	Auf Lager3.456
MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 512G PARALLEL 132LBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 512Gb (64G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 132-LBGA Lieferantengerätepaket: 132-LBGA (12x18)	Auf Lager5.616
MT29E512G08CUCDBJ6-6:D Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 512Gb (64G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 132-LBGA (12x18)	Auf Lager3.564

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