Speicher-ICs

Speicher (46.590)
Speicher - Batterien (13)
Speicher - Konfigurations-Proms für FPGAs (578)
Speichercontroller (151)

Datensätze 47.332

Seite 503/1578

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
BQ2022LPRE3 Texas Instruments	Speicher IC EPROM 1K SINGLE WIRE TO92-3 Hersteller: Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EPROM Technologie: EPROM - OTP Speichergröße: 1Kb (256b x 4 pages) Speicherschnittstelle: Single Wire Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.65V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -20°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.586
BQ2024DBZR Texas Instruments	Speicher IC EPROM 1.5K SGL WIRE SOT23-3 Hersteller: Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EPROM Technologie: EPROM - OTP Speichergröße: 1.5K (6 pages x 32 bytes) Speicherschnittstelle: Single Wire Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.65V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -20°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager5.454
BQ2024DBZRG4 Texas Instruments	Speicher IC EPROM 1.5K SGL WIRE SOT23-3 Hersteller: Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EPROM Technologie: EPROM - OTP Speichergröße: 1.5K (6 pages x 32 bytes) Speicherschnittstelle: Single Wire Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.65V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -20°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager4.284
BQ2026DBZR Texas Instruments	Speicher IC EPROM 1.5K SGL WIRE SOT23-3 Hersteller: Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EPROM Technologie: EPROM - OTP Speichergröße: 1.5K (6 pages x 32 bytes) Speicherschnittstelle: Single Wire Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.65V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -20°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager5.076
BQ2026LPR Texas Instruments	Speicher IC EPROM 1.5K SINGLE WIRE TO92-3 Hersteller: Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EPROM Technologie: EPROM - OTP Speichergröße: 1.5K (6 pages x 32 bytes) Speicherschnittstelle: Single Wire Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.65V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -20°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.850
BQ4010MA-150 Texas Instruments	Speicher IC NVSRAM 64K PARALLEL 28DIP Hersteller: Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 64Kb (8K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 150ns Zugriffszeit: 150ns Spannung - Versorgung: 4.75V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Lieferantengerätepaket: 28-DIP Module (18.42x37.72)	Auf Lager5.796
BQ4010MA-200 Texas Instruments	Speicher IC NVSRAM 64K PARALLEL 28DIP Hersteller: Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 64Kb (8K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 200ns Zugriffszeit: 200ns Spannung - Versorgung: 4.75V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Lieferantengerätepaket: 28-DIP Module (18.42x37.72)	Auf Lager4.536
BQ4010MA-70 Texas Instruments	Speicher IC NVSRAM 64K PARALLEL 28DIP Hersteller: Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 64Kb (8K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 4.75V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Lieferantengerätepaket: 28-DIP Module (18.42x37.72)	Auf Lager2.916
BQ4010MA-85 Texas Instruments	Speicher IC NVSRAM 64K PARALLEL 28DIP Hersteller: Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 64Kb (8K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 85ns Zugriffszeit: 85ns Spannung - Versorgung: 4.75V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Lieferantengerätepaket: 28-DIP Module (18.42x37.72)	Auf Lager4.788
BQ4010YMA-150 Texas Instruments	Speicher IC NVSRAM 64K PARALLEL 28DIP Hersteller: Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 64Kb (8K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 150ns Zugriffszeit: 150ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Lieferantengerätepaket: 28-DIP Module (18.42x37.72)	Auf Lager72
BQ4010YMA-150N Texas Instruments	Speicher IC NVSRAM 64K PARALLEL 28DIP Hersteller: Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 64Kb (8K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 150ns Zugriffszeit: 150ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Lieferantengerätepaket: 28-DIP Module (18.42x37.72)	Auf Lager2.412
BQ4010YMA-200 Texas Instruments	Speicher IC NVSRAM 64K PARALLEL 28DIP Hersteller: Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 64Kb (8K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 200ns Zugriffszeit: 200ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Lieferantengerätepaket: 28-DIP Module (18.42x37.72)	Auf Lager8.532
BQ4010YMA-70 Texas Instruments	Speicher IC NVSRAM 64K PARALLEL 28DIP Hersteller: Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 64Kb (8K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Lieferantengerätepaket: 28-DIP Module (18.42x37.72)	Auf Lager4.518
BQ4010YMA-70N Texas Instruments	Speicher IC NVSRAM 64K PARALLEL 28DIP Hersteller: Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 64Kb (8K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Lieferantengerätepaket: 28-DIP Module (18.42x37.72)	Auf Lager8.100
BQ4010YMA-85 Texas Instruments	Speicher IC NVSRAM 64K PARALLEL 28DIP Hersteller: Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 64Kb (8K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 85ns Zugriffszeit: 85ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Lieferantengerätepaket: 28-DIP Module (18.42x37.72)	Auf Lager4.410
BQ4010YMA-85N Texas Instruments	Speicher IC NVSRAM 64K PARALLEL 28DIP Hersteller: Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 64Kb (8K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 85ns Zugriffszeit: 85ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Lieferantengerätepaket: 28-DIP Module (18.42x37.72)	Auf Lager8.964
BQ4011LYMA-70N Texas Instruments	Speicher IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP Hersteller: Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Lieferantengerätepaket: 28-DIP Module (18.42x37.72)	Auf Lager6.534
BQ4011MA-100 Texas Instruments	Speicher IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP Hersteller: Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns Zugriffszeit: 100ns Spannung - Versorgung: 4.75V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Lieferantengerätepaket: 28-DIP Module (18.42x37.72)	Auf Lager4.266
BQ4011MA-150 Texas Instruments	Speicher IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP Hersteller: Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 150ns Zugriffszeit: 150ns Spannung - Versorgung: 4.75V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Lieferantengerätepaket: 28-DIP Module (18.42x37.72)	Auf Lager2.196
BQ4011MA-200 Texas Instruments	Speicher IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP Hersteller: Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 200ns Zugriffszeit: 200ns Spannung - Versorgung: 4.75V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Lieferantengerätepaket: 28-DIP Module (18.42x37.72)	Auf Lager4.626
BQ4011YMA-100 Texas Instruments	Speicher IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP Hersteller: Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns Zugriffszeit: 100ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Lieferantengerätepaket: 28-DIP Module (18.42x37.72)	Auf Lager4.518
BQ4011YMA-150 Texas Instruments	Speicher IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP Hersteller: Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 150ns Zugriffszeit: 150ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Lieferantengerätepaket: 28-DIP Module (18.42x37.72)	Auf Lager4.608
BQ4011YMA-150N Texas Instruments	Speicher IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP Hersteller: Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 150ns Zugriffszeit: 150ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Lieferantengerätepaket: 28-DIP Module (18.42x37.72)	Auf Lager6.876
BQ4011YMA-200 Texas Instruments	Speicher IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP Hersteller: Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 200ns Zugriffszeit: 200ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Lieferantengerätepaket: 28-DIP Module (18.42x37.72)	Auf Lager3.816
BQ4011YMA-70 Texas Instruments	Speicher IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP Hersteller: Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Lieferantengerätepaket: 28-DIP Module (18.42x37.72)	Auf Lager8.082
BQ4011YMA-70N Texas Instruments	Speicher IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP Hersteller: Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Lieferantengerätepaket: 28-DIP Module (18.42x37.72)	Auf Lager2.502
BQ4013MA-120 Texas Instruments	Speicher IC NVSRAM 1M PARALLEL 32DIP Hersteller: Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 120ns Zugriffszeit: 120ns Spannung - Versorgung: 4.75V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 32-DIP Module (0.61", 15.49mm) Lieferantengerätepaket: 32-DIP Module (18.42x42.8)	Auf Lager4.104
BQ4013MA-85 Texas Instruments	Speicher IC NVSRAM 1M PARALLEL 32DIP Hersteller: Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 85ns Zugriffszeit: 85ns Spannung - Versorgung: 4.75V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 32-DIP Module (0.61", 15.49mm) Lieferantengerätepaket: 32-DIP Module (18.42x42.8)	Auf Lager3.798
BQ4013YMA-120 Texas Instruments	Speicher IC NVSRAM 1M PARALLEL 32DIP Hersteller: Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 120ns Zugriffszeit: 120ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 32-DIP Module (0.61", 15.49mm) Lieferantengerätepaket: 32-DIP Module (18.42x42.8)	Auf Lager223
BQ4013YMA-70 Texas Instruments	Speicher IC NVSRAM 1M PARALLEL 32DIP Hersteller: Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 32-DIP Module (0.61", 15.49mm) Lieferantengerätepaket: 32-DIP Module (18.42x42.8)	Auf Lager5.022

«
‹
1
...
500
501
502
503 (current)
504
505
506
...
1578
›
»

Send Message

Certifications

Speicher-ICs

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message