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Speicher-ICs

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Beschreibung
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BQ4013YMA-70N
BQ4013YMA-70N

Texas Instruments

Speicher

IC NVSRAM 1M PARALLEL 32DIP

  • Hersteller:
  • Serie: -
  • Speichertyp: Non-Volatile
  • Speicherformat: NVSRAM
  • Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Speichergröße: 1Mb (128K x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns
  • Zugriffszeit: 70ns
  • Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: 32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
  • Lieferantengerätepaket: 32-DIP Module (18.42x42.8)
Auf Lager8.766
BQ4013YMA-85
BQ4013YMA-85

Texas Instruments

Speicher

IC NVSRAM 1M PARALLEL 32DIP

  • Hersteller:
  • Serie: -
  • Speichertyp: Non-Volatile
  • Speicherformat: NVSRAM
  • Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Speichergröße: 1Mb (128K x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 85ns
  • Zugriffszeit: 85ns
  • Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: 32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
  • Lieferantengerätepaket: 32-DIP Module (18.42x42.8)
Auf Lager5.490
BQ4013YMA-85N
BQ4013YMA-85N

Texas Instruments

Speicher

IC NVSRAM 1M PARALLEL 32DIP

  • Hersteller:
  • Serie: -
  • Speichertyp: Non-Volatile
  • Speicherformat: NVSRAM
  • Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Speichergröße: 1Mb (128K x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 85ns
  • Zugriffszeit: 85ns
  • Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: 32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
  • Lieferantengerätepaket: 32-DIP Module (18.42x42.8)
Auf Lager980
BQ4014MB-120
BQ4014MB-120

Texas Instruments

Speicher

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32DIP

  • Hersteller:
  • Serie: -
  • Speichertyp: Non-Volatile
  • Speicherformat: NVSRAM
  • Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Speichergröße: 2Mb (256K x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 120ns
  • Zugriffszeit: 120ns
  • Spannung - Versorgung: 4.75V ~ 5.5V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: 32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
  • Lieferantengerätepaket: 32-DIP Module (18.42x52.96)
Auf Lager120
BQ4014MB-85
BQ4014MB-85

Texas Instruments

Speicher

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32DIP

  • Hersteller:
  • Serie: -
  • Speichertyp: Non-Volatile
  • Speicherformat: NVSRAM
  • Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Speichergröße: 2Mb (256K x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 85ns
  • Zugriffszeit: 85ns
  • Spannung - Versorgung: 4.75V ~ 5.5V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: 32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
  • Lieferantengerätepaket: 32-DIP Module (18.42x52.96)
Auf Lager7.308
BQ4014YMB-120
BQ4014YMB-120

Texas Instruments

Speicher

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32DIP

  • Hersteller:
  • Serie: -
  • Speichertyp: Non-Volatile
  • Speicherformat: NVSRAM
  • Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Speichergröße: 2Mb (256K x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 120ns
  • Zugriffszeit: 120ns
  • Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: 32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
  • Lieferantengerätepaket: 32-DIP Module (18.42x52.96)
Auf Lager5.058
BQ4014YMB-85
BQ4014YMB-85

Texas Instruments

Speicher

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32DIP

  • Hersteller:
  • Serie: -
  • Speichertyp: Non-Volatile
  • Speicherformat: NVSRAM
  • Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Speichergröße: 2Mb (256K x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 85ns
  • Zugriffszeit: 85ns
  • Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: 32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
  • Lieferantengerätepaket: 32-DIP Module (18.42x52.96)
Auf Lager2.646
BQ4015LYMA-70N
BQ4015LYMA-70N

Texas Instruments

Speicher

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32DIP

  • Hersteller:
  • Serie: -
  • Speichertyp: Non-Volatile
  • Speicherformat: NVSRAM
  • Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns
  • Zugriffszeit: 70ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: 32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
  • Lieferantengerätepaket: 32-DIP Module (18.42x42.8)
Auf Lager8.676
BQ4015MA-70
BQ4015MA-70

Texas Instruments

Speicher

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32DIP

  • Hersteller:
  • Serie: -
  • Speichertyp: Non-Volatile
  • Speicherformat: NVSRAM
  • Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns
  • Zugriffszeit: 70ns
  • Spannung - Versorgung: 4.75V ~ 5.5V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: 32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
  • Lieferantengerätepaket: 32-DIP Module (18.42x42.8)
Auf Lager3.402
BQ4015MA-85
BQ4015MA-85

Texas Instruments

Speicher

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32DIP

  • Hersteller:
  • Serie: -
  • Speichertyp: Non-Volatile
  • Speicherformat: NVSRAM
  • Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 85ns
  • Zugriffszeit: 85ns
  • Spannung - Versorgung: 4.75V ~ 5.5V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: 32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
  • Lieferantengerätepaket: 32-DIP Module (18.42x42.8)
Auf Lager3.906
BQ4015YMA-70
BQ4015YMA-70

Texas Instruments

Speicher

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32DIP

  • Hersteller:
  • Serie: -
  • Speichertyp: Non-Volatile
  • Speicherformat: NVSRAM
  • Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns
  • Zugriffszeit: 70ns
  • Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: 32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
  • Lieferantengerätepaket: 32-DIP Module (18.42x42.8)
Auf Lager8.982
BQ4015YMA-85
BQ4015YMA-85

Texas Instruments

Speicher

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32DIP

  • Hersteller:
  • Serie: -
  • Speichertyp: Non-Volatile
  • Speicherformat: NVSRAM
  • Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 85ns
  • Zugriffszeit: 85ns
  • Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: 32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
  • Lieferantengerätepaket: 32-DIP Module (18.42x42.8)
Auf Lager8.568
BQ4016MC-70
BQ4016MC-70

Texas Instruments

Speicher

IC NVSRAM 8M PARALLEL 36DIP

  • Hersteller:
  • Serie: -
  • Speichertyp: Non-Volatile
  • Speicherformat: NVSRAM
  • Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Speichergröße: 8Mb (1M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns
  • Zugriffszeit: 70ns
  • Spannung - Versorgung: 4.75V ~ 5.5V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: 36-DIP Module (0.610", 15.49mm)
  • Lieferantengerätepaket: 36-DIP Module (18.42x52.96)
Auf Lager4.914
BQ4016YMC-70
BQ4016YMC-70

Texas Instruments

Speicher

IC NVSRAM 8M PARALLEL 36DIP

  • Hersteller:
  • Serie: -
  • Speichertyp: Non-Volatile
  • Speicherformat: NVSRAM
  • Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Speichergröße: 8Mb (1M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns
  • Zugriffszeit: 70ns
  • Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: 36-DIP Module (0.610", 15.49mm)
  • Lieferantengerätepaket: 36-DIP Module (18.42x52.96)
Auf Lager4.392
BQ4017YMC-70
BQ4017YMC-70

Texas Instruments

Speicher

IC NVSRAM 16M PARALLEL 36DIP

  • Hersteller:
  • Serie: -
  • Speichertyp: Non-Volatile
  • Speicherformat: NVSRAM
  • Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Speichergröße: 16Mb (2M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns
  • Zugriffszeit: 70ns
  • Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: 36-DIP Module (0.610", 15.49mm)
  • Lieferantengerätepaket: 36-DIP Module (18.42x52.96)
Auf Lager2.808
BR24A01AFJ-WME2
BR24A01AFJ-WME2

Rohm Semiconductor

Speicher

EEPROM SERIAL-I2C 1K-BIT 128 X 8

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Speichertyp: Non-Volatile
  • Speicherformat: EEPROM
  • Technologie: EEPROM
  • Speichergröße: 1Kb (128 x 8)
  • Speicherschnittstelle: I²C
  • Taktfrequenz: 400kHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 5.5V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 8-SOP-J
Auf Lager3.114
BR24A01AF-WLBH2
BR24A01AF-WLBH2

Rohm Semiconductor

Speicher

I2C BUS 1KBIT(128X8BIT) EEPROM

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Speichertyp: Non-Volatile
  • Speicherformat: EEPROM
  • Technologie: EEPROM
  • Speichergröße: 1Kb (128 x 8)
  • Speicherschnittstelle: I²C
  • Taktfrequenz: 400kHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 5.5V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 8-SOP
Auf Lager8.136
BR24A01AF-WME2
BR24A01AF-WME2

Rohm Semiconductor

Speicher

EEPROM SERIAL-I2C 1K-BIT 128 X 8

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Speichertyp: Non-Volatile
  • Speicherformat: EEPROM
  • Technologie: EEPROM
  • Speichergröße: 1Kb (128 x 8)
  • Speicherschnittstelle: I²C
  • Taktfrequenz: 400kHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 5.5V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 8-SOP
Auf Lager4.032
BR24A02FJ-WME2
BR24A02FJ-WME2

Rohm Semiconductor

Speicher

EEPROM SERIAL-I2C 2K-BIT 256 X 8

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Speichertyp: Non-Volatile
  • Speicherformat: EEPROM
  • Technologie: EEPROM
  • Speichergröße: 2Kb (256 x 8)
  • Speicherschnittstelle: I²C
  • Taktfrequenz: 400kHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 5.5V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 8-SOP-J
Auf Lager5.814
BR24A02FVM-WMTR
BR24A02FVM-WMTR

Rohm Semiconductor

Speicher

EEPROM SERIAL-I2C 2K-BIT 256 X 8

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Speichertyp: Non-Volatile
  • Speicherformat: EEPROM
  • Technologie: EEPROM
  • Speichergröße: 2Kb (256 x 8)
  • Speicherschnittstelle: I²C
  • Taktfrequenz: 400kHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 5.5V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 8-MSOP
Auf Lager2.556
BR24A02F-WME2
BR24A02F-WME2

Rohm Semiconductor

Speicher

EEPROM SERIAL-I2C 2K-BIT 256 X 8

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Speichertyp: Non-Volatile
  • Speicherformat: EEPROM
  • Technologie: EEPROM
  • Speichergröße: 2Kb (256 x 8)
  • Speicherschnittstelle: I²C
  • Taktfrequenz: 400kHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 5.5V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 8-SOP
Auf Lager3.834
BR24A04FJ-WME2
BR24A04FJ-WME2

Rohm Semiconductor

Speicher

IC EEPROM 4K I2C 400KHZ 8SOPJ

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Speichertyp: Non-Volatile
  • Speicherformat: EEPROM
  • Technologie: EEPROM
  • Speichergröße: 4Kb (512 x 8)
  • Speicherschnittstelle: I²C
  • Taktfrequenz: 400kHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 5.5V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 8-SOP-J
Auf Lager7.416
BR24A04F-WLBH2
BR24A04F-WLBH2

Rohm Semiconductor

Speicher

I2C BUS 4KBIT(512X8BIT) EEPROM

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Speichertyp: Non-Volatile
  • Speicherformat: EEPROM
  • Technologie: EEPROM
  • Speichergröße: 4Kb (512 x 8)
  • Speicherschnittstelle: I²C
  • Taktfrequenz: 400kHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 5.5V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 8-SOP
Auf Lager8.460
BR24A04F-WME2
BR24A04F-WME2

Rohm Semiconductor

Speicher

EEPROM SERIAL-I2C 4K-BIT 512 X 8

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Speichertyp: Non-Volatile
  • Speicherformat: EEPROM
  • Technologie: EEPROM
  • Speichergröße: 4Kb (512 x 8)
  • Speicherschnittstelle: I²C
  • Taktfrequenz: 400kHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 5.5V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 8-SOP
Auf Lager6.120
BR24A08FJ-WME2
BR24A08FJ-WME2

Rohm Semiconductor

Speicher

IC EEPROM 8K I2C 400KHZ 8SOPJ

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Speichertyp: Non-Volatile
  • Speicherformat: EEPROM
  • Technologie: EEPROM
  • Speichergröße: 8Kb (1K x 8)
  • Speicherschnittstelle: I²C
  • Taktfrequenz: 400kHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 5.5V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 8-SOP-J
Auf Lager3.780
BR24A08F-WLBH2
BR24A08F-WLBH2

Rohm Semiconductor

Speicher

I2C BUS 8KBIT(1024X8BIT) EEPROM

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Speichertyp: Non-Volatile
  • Speicherformat: EEPROM
  • Technologie: EEPROM
  • Speichergröße: 8Kb (1K x 8)
  • Speicherschnittstelle: I²C
  • Taktfrequenz: 400kHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 5.5V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 8-SOP
Auf Lager7.176
BR24A08F-WME2
BR24A08F-WME2

Rohm Semiconductor

Speicher

EEPROM SERIAL-I2C 8K-BIT 1K X 8

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Speichertyp: Non-Volatile
  • Speicherformat: EEPROM
  • Technologie: EEPROM
  • Speichergröße: 8Kb (1K x 8)
  • Speicherschnittstelle: I²C
  • Taktfrequenz: 400kHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 5.5V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 8-SOP
Auf Lager8.586
BR24A16FJ-WME2
BR24A16FJ-WME2

Rohm Semiconductor

Speicher

EEPROM SERIAL-I2C 16K-BIT 2K X 8

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Speichertyp: Non-Volatile
  • Speicherformat: EEPROM
  • Technologie: EEPROM
  • Speichergröße: 16Kb (2K x 8)
  • Speicherschnittstelle: I²C
  • Taktfrequenz: 400kHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 5.5V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 8-SOP-J
Auf Lager2.304
BR24A16F-WLBH2
BR24A16F-WLBH2

Rohm Semiconductor

Speicher

I2C BUS 16KBIT(2048X8BIT) EEPROM

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Speichertyp: Non-Volatile
  • Speicherformat: EEPROM
  • Technologie: EEPROM
  • Speichergröße: 16Kb (2K x 8)
  • Speicherschnittstelle: I²C
  • Taktfrequenz: 400kHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 5.5V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 8-SOP
Auf Lager5.094
BR24A16F-WME2
BR24A16F-WME2

Rohm Semiconductor

Speicher

EEPROM SERIAL-I2C 16K-BIT 2K X 8

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Speichertyp: Non-Volatile
  • Speicherformat: EEPROM
  • Technologie: EEPROM
  • Speichergröße: 16Kb (2K x 8)
  • Speicherschnittstelle: I²C
  • Taktfrequenz: 400kHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 5.5V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 8-SOP
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