86-755-83210135

Send Message

Need Help?
Send Message

Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.
Anmelden Deutsch USD
Warenkorb 0 Artikel Stückliste hochladen Sparen Sie Zeit

Speicher-ICs

Datensätze 47.332
Seite 581/1578
Bild
Teilenummer
Beschreibung
Auf Lager
Menge
CY62146GN30-45BVXI
CY62146GN30-45BVXI

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA

  • Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: MoBL®
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns
  • Zugriffszeit: 45ns
  • Spannung - Versorgung: 2.2V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 48-VFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 48-VFBGA (6x8)
Auf Lager3.168
CY62146GN30-45BVXIT
CY62146GN30-45BVXIT

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA

  • Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: MoBL®
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns
  • Zugriffszeit: 45ns
  • Spannung - Versorgung: 2.2V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 48-VFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 48-VFBGA (6x8)
Auf Lager2.196
CY62146GN30-45ZSXI
CY62146GN30-45ZSXI

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: MoBL®
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns
  • Zugriffszeit: 45ns
  • Spannung - Versorgung: 2.2V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II
Auf Lager8.424
CY62146GN30-45ZSXIT
CY62146GN30-45ZSXIT

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: MoBL®
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns
  • Zugriffszeit: 45ns
  • Spannung - Versorgung: 2.2V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II
Auf Lager2.538
CY62146GN-45ZSXI
CY62146GN-45ZSXI

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: MoBL®
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns
  • Zugriffszeit: 45ns
  • Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II
Auf Lager2.700
CY62146GN-45ZSXIT
CY62146GN-45ZSXIT

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: MoBL®
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns
  • Zugriffszeit: 45ns
  • Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II
Auf Lager8.046
CY621472E30LL-45ZSXA
CY621472E30LL-45ZSXA

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 4MBIT 45NS 44TSOP

  • Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: MoBL®
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns
  • Zugriffszeit: 45ns
  • Spannung - Versorgung: 2.2V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II
Auf Lager6.642
CY621472E30LL-45ZSXAT
CY621472E30LL-45ZSXAT

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: MoBL®
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns
  • Zugriffszeit: 45ns
  • Spannung - Versorgung: 2.2V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II
Auf Lager8.586
CY621472E30LL-45ZSXI
CY621472E30LL-45ZSXI

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: MoBL®
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns
  • Zugriffszeit: 45ns
  • Spannung - Versorgung: 2.2V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II
Auf Lager11.700
CY621472E30LL-45ZSXIT
CY621472E30LL-45ZSXIT

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: MoBL®
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns
  • Zugriffszeit: 45ns
  • Spannung - Versorgung: 2.2V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II
Auf Lager7.416
CY621472EV30LL-45ZSXI
CY621472EV30LL-45ZSXI

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: MoBL®
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns
  • Zugriffszeit: 45ns
  • Spannung - Versorgung: 2.2V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II
Auf Lager4.158
CY621472G30-45ZSXA
CY621472G30-45ZSXA

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: MoBL®
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns
  • Zugriffszeit: 45ns
  • Spannung - Versorgung: 2.2V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II
Auf Lager8.586
CY621472G30-45ZSXAT
CY621472G30-45ZSXAT

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: MoBL®
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns
  • Zugriffszeit: 45ns
  • Spannung - Versorgung: 2.2V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II
Auf Lager7.506
CY621472G30-45ZSXI
CY621472G30-45ZSXI

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: MoBL®
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns
  • Zugriffszeit: 45ns
  • Spannung - Versorgung: 2.2V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II
Auf Lager7.260
CY621472G30-45ZSXIT
CY621472G30-45ZSXIT

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: MoBL®
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns
  • Zugriffszeit: 45ns
  • Spannung - Versorgung: 2.2V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II
Auf Lager6.966
CY621472GN30-45ZSXI
CY621472GN30-45ZSXI

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL

  • Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: MoBL®
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns
  • Zugriffszeit: 45ns
  • Spannung - Versorgung: 2.2V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II
Auf Lager5.886
CY621472GN30-45ZSXIT
CY621472GN30-45ZSXIT

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL

  • Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: MoBL®
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns
  • Zugriffszeit: 45ns
  • Spannung - Versorgung: 2.2V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II
Auf Lager7.038
CY62147DV30L-55BVXE
CY62147DV30L-55BVXE

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA

  • Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: MoBL®
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns
  • Zugriffszeit: 55ns
  • Spannung - Versorgung: 2.2V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 48-VFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 48-VFBGA (6x8)
Auf Lager2.574
CY62147DV30L-55BVXET
CY62147DV30L-55BVXET

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA

  • Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: MoBL®
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns
  • Zugriffszeit: 55ns
  • Spannung - Versorgung: 2.2V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 48-VFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 48-VFBGA (6x8)
Auf Lager2.322
CY62147DV30L-55ZSXE
CY62147DV30L-55ZSXE

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: MoBL®
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns
  • Zugriffszeit: 55ns
  • Spannung - Versorgung: 2.2V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II
Auf Lager8.280
CY62147DV30L-55ZSXET
CY62147DV30L-55ZSXET

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: MoBL®
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns
  • Zugriffszeit: 55ns
  • Spannung - Versorgung: 2.2V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II
Auf Lager8.064
CY62147DV30LL-70BVXA
CY62147DV30LL-70BVXA

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA

  • Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: MoBL®
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns
  • Zugriffszeit: 70ns
  • Spannung - Versorgung: 2.2V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 48-VFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 48-VFBGA (6x8)
Auf Lager5.904
CY62147DV30LL-70BVXAT
CY62147DV30LL-70BVXAT

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA

  • Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: MoBL®
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns
  • Zugriffszeit: 70ns
  • Spannung - Versorgung: 2.2V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 48-VFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 48-VFBGA (6x8)
Auf Lager2.880
CY62147EV18LL-45BVXI
CY62147EV18LL-45BVXI

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA

  • Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: MoBL®
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns
  • Zugriffszeit: 45ns
  • Spannung - Versorgung: 1.65V ~ 2.25V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 48-VFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 48-VFBGA (6x8)
Auf Lager3.562
CY62147EV18LL-45BVXIT
CY62147EV18LL-45BVXIT

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA

  • Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: MoBL®
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns
  • Zugriffszeit: 45ns
  • Spannung - Versorgung: 1.65V ~ 2.25V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 48-VFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 48-VFBGA (6x8)
Auf Lager7.344
CY62147EV18LL-55BVXI
CY62147EV18LL-55BVXI

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA

  • Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: MoBL®
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns
  • Zugriffszeit: 55ns
  • Spannung - Versorgung: 1.65V ~ 2.25V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 48-VFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 48-VFBGA (6x8)
Auf Lager21.672
CY62147EV18LL-55BVXIT
CY62147EV18LL-55BVXIT

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA

  • Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: MoBL®
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns
  • Zugriffszeit: 55ns
  • Spannung - Versorgung: 1.65V ~ 2.25V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 48-VFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 48-VFBGA (6x8)
Auf Lager7.038
CY62147EV30LL-45B2XA
CY62147EV30LL-45B2XA

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA

  • Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: MoBL®
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns
  • Zugriffszeit: 45ns
  • Spannung - Versorgung: 2.2V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 48-VFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 48-VFBGA (6x8)
Auf Lager7.176
CY62147EV30LL-45B2XAT
CY62147EV30LL-45B2XAT

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA

  • Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: MoBL®
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns
  • Zugriffszeit: 45ns
  • Spannung - Versorgung: 2.2V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 48-VFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 48-VFBGA (6x8)
Auf Lager8.748
CY62147EV30LL-45B2XI
CY62147EV30LL-45B2XI

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA

  • Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: MoBL®
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns
  • Zugriffszeit: 45ns
  • Spannung - Versorgung: 2.2V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 48-VFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 48-VFBGA (6x8)
Auf Lager8.964