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EDFP164A3PB-GD-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 24Gb (384M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 216-FBGA (15x15)	Auf Lager3.024
EDFP164A3PB-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 24Gb (384M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 216-FBGA (15x15)	Auf Lager5.940
EDFP164A3PB-JD-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 24Gb (384M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 216-FBGA (15x15)	Auf Lager6.916
EDFP164A3PB-JD-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 24Gb (384M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 216-FBGA (15x15)	Auf Lager8.244
EDFP164A3PD-GD-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 24Gb (384M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.830
EDFP164A3PD-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 24Gb (384M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.364
EDFP164A3PD-JD-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 24Gb (384M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.182
EDFP164A3PD-JD-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 24Gb (384M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.508
EDFP164A3PD-MD-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G PARALLEL 1067MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 24Gb (384M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1067MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.118
EDFP164A3PD-MD-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G PARALLEL 1067MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 24Gb (384M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1067MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.724
EDFP264A2PB-JD-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 24Gb (384M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.230
EDFP264A2PB-JD-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 24Gb (384M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.418
EDS6432AFTA-75TI-E-D Micron Technology Inc.	Speicher SDRAM 2MX32 PLASTIC TSOP 3.3V EX Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.552
EDW2032BBBG-50-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC RAM 2G PARALLEL 170FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: RAM Technologie: SGRAM - GDDR5 Speichergröße: 2Gb (64M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.25GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.31V ~ 1.65V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 170-TFBGA Lieferantengerätepaket: 170-FBGA (12x14)	Auf Lager2.430
EDW2032BBBG-50-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC RAM 2G PARALLEL 170FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: RAM Technologie: SGRAM - GDDR5 Speichergröße: 2Gb (64M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.25GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.31V ~ 1.65V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 170-TFBGA Lieferantengerätepaket: 170-FBGA (12x14)	Auf Lager3.348
EDW2032BBBG-60-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC RAM 2G PARALLEL 170FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: RAM Technologie: SGRAM - GDDR5 Speichergröße: 2Gb (64M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.5GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.31V ~ 1.65V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 170-TFBGA Lieferantengerätepaket: 170-FBGA (12x14)	Auf Lager5.742
EDW2032BBBG-6A-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC RAM 2G PARALLEL 170FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: RAM Technologie: SGRAM - GDDR5 Speichergröße: 2Gb (64M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.5GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.31V ~ 1.65V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 170-TFBGA Lieferantengerätepaket: 170-FBGA (12x14)	Auf Lager3.798
EDW2032BBBG-6A-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC RAM 2G PARALLEL 170FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: RAM Technologie: SGRAM - GDDR5 Speichergröße: 2Gb (64M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.5GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.31V ~ 1.65V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 170-TFBGA Lieferantengerätepaket: 170-FBGA (12x14)	Auf Lager3.006
EDW2032BBBG-7A-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC RAM 2G PARALLEL 170FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: RAM Technologie: SGRAM - GDDR5 Speichergröße: 2Gb (64M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.75GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.31V ~ 1.65V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 170-TFBGA Lieferantengerätepaket: 170-FBGA (12x14)	Auf Lager7.254
EDW2032BBBG-7A-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC RAM 2G PARALLEL 170FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: RAM Technologie: SGRAM - GDDR5 Speichergröße: 2Gb (64M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.75GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.31V ~ 1.65V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 170-TFBGA Lieferantengerätepaket: 170-FBGA (12x14)	Auf Lager4.662
EDW4032BABG-50-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC RAM 4G PARALLEL 1.25GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: RAM Technologie: SGRAM - GDDR5 Speichergröße: 4Gb (128M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.25GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.31V ~ 1.65V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 170-TFBGA Lieferantengerätepaket: 170-FBGA (12x14)	Auf Lager3.636
EDW4032BABG-60-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC RAM 4G PARALLEL 170FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: RAM Technologie: SGRAM - GDDR5 Speichergröße: 4Gb (128M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.5GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.31V ~ 1.65V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 170-TFBGA Lieferantengerätepaket: 170-FBGA (12x14)	Auf Lager8.298
EDW4032BABG-60-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC RAM 4G PARALLEL 170FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: RAM Technologie: SGRAM - GDDR5 Speichergröße: 4Gb (128M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.5GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.31V ~ 1.65V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 170-TFBGA Lieferantengerätepaket: 170-FBGA (12x14)	Auf Lager7.938
EDW4032BABG-70-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC RAM 4G PARALLEL 170FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: RAM Technologie: SGRAM - GDDR5 Speichergröße: 4Gb (128M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.75GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.31V ~ 1.65V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 170-TFBGA Lieferantengerätepaket: 170-FBGA (12x14)	Auf Lager6.174
EDW4032BABG-70-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC RAM 4G PARALLEL 170FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: RAM Technologie: SGRAM - GDDR5 Speichergröße: 4Gb (128M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.75GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.31V ~ 1.65V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 170-TFBGA Lieferantengerätepaket: 170-FBGA (12x14)	Auf Lager2.754
EDW4032BABG-80-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC RAM 4G PARALLEL 2GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: RAM Technologie: SGRAM - GDDR5 Speichergröße: 4Gb (128M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.31V ~ 1.65V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 170-TFBGA Lieferantengerätepaket: 170-FBGA (12x14)	Auf Lager2.016
EDW4032CABG-50-N-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC RAM 4G PARALLEL 1.25GHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: RAM Technologie: SGRAM - GDDR5 Speichergröße: 4Gb (128M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.25GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.31V ~ 1.39V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.508
EDW4032CABG-50-N-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC RAM 4G PARALLEL 1.25GHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: RAM Technologie: SGRAM - GDDR5 Speichergröße: 4Gb (128M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.25GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.31V ~ 1.39V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.816
EDY4016AABG-DR-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (7.5x13.5)	Auf Lager4.050
EDY4016AABG-DR-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (7.5x13.5)	Auf Lager6.858

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