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EDFB232A1MA-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 32Gb (1G x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.892
EDFB232A1MA-JD-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G PARALLEL 933MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 32Gb (1G x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.858
EDFB232A1MA-JD-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G PARALLEL 933MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 32Gb (1G x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.366
EDFM432A1PF-GD-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 12G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 12Gb (384M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 216-FBGA (12x12)	Auf Lager2.340
EDFM432A1PF-JD-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 12G PARALLEL 933MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 12Gb (384M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 216-FBGA (12x12)	Auf Lager6.534
EDFM432A1PH-GD-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 12G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 12Gb (384M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 168-FBGA (12x12)	Auf Lager8.784
EDFM432A1PH-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 12G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 12Gb (384M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 168-FBGA (12x12)	Auf Lager3.852
EDFP112A3PB-GD-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 24Gb (192M x 128) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.642
EDFP112A3PB-GD-F-D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 24Gb (192M x 128) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.860
EDFP112A3PB-GD-F-R Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 24Gb (192M x 128) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.766
EDFP112A3PB-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 24Gb (192M x 128) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.676
EDFP112A3PB-GDTJ-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 24Gb (192M x 128) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.598
EDFP112A3PB-GDTJ-F-R Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 24Gb (192M x 128) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.310
EDFP112A3PB-GDTJ-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 24Gb (192M x 128) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.914
EDFP112A3PB-JD-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 24Gb (192M x 128) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.776
EDFP112A3PB-JD-F-D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 24Gb (192M x 128) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.844
EDFP112A3PB-JD-F-R Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 24Gb (192M x 128) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.768
EDFP112A3PB-JD-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 24Gb (192M x 128) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.856
EDFP112A3PB-JDTJ-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 24Gb (192M x 128) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.374
EDFP112A3PB-JDTJ-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 24Gb (192M x 128) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.914
EDFP112A3PD-GD-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 24Gb (192M x 128) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.658
EDFP112A3PD-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 24Gb (192M x 128) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.262
EDFP112A3PF-GD-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 24Gb (192M x 128) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.904
EDFP112A3PF-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 24Gb (192M x 128) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.732
EDFP112A3PF-GDTJ-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 24Gb (192M x 128) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.520
EDFP112A3PF-GDTJ-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 24Gb (192M x 128) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.500
EDFP112A3PF-JD-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 24Gb (192M x 128) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.928
EDFP112A3PF-JD-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 24Gb (192M x 128) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.078
EDFP112A3PF-JDTJ-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 24Gb (192M x 128) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.408
EDFP112A3PF-JDTJ-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 24Gb (192M x 128) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.060

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