Speicher-ICs

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GT28F160C3TA110 Intel	Speicher IC FLASH 16M PARALLEL 48UBGA CSP Hersteller: Intel Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - Boot Block Speichergröße: 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 110ns Zugriffszeit: 110ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-VFBGA Lieferantengerätepaket: 48-µBGA CSP	Auf Lager8.694
GT28F320B3BA100 Intel	Speicher IC FLASH 32M PARALLEL 48UBGA CSP Hersteller: Intel Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - Boot Block Speichergröße: 32Mb (2M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns Zugriffszeit: 100ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-VFBGA Lieferantengerätepaket: 48-µBGA CSP	Auf Lager7.398
GT28F320B3TA100 Intel	Speicher IC FLASH 32M PARALLEL 48UBGA CSP Hersteller: Intel Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - Boot Block Speichergröße: 32Mb (2M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns Zugriffszeit: 100ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-VFBGA Lieferantengerätepaket: 48-µBGA CSP	Auf Lager8.154
GT28F320B3TA110 Intel	Speicher IC FLASH 32M PARALLEL 48UBGA CSP Hersteller: Intel Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - Boot Block Speichergröße: 32Mb (2M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 110ns Zugriffszeit: 110ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-VFBGA Lieferantengerätepaket: 48-µBGA CSP	Auf Lager6.060
GT28F320C3BA100SB93 Intel	Speicher IC FLASH 32M PARALLEL 48UBGA CSP Hersteller: Intel Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - Boot Block Speichergröße: 32Mb (2M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns Zugriffszeit: 100ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-VFBGA Lieferantengerätepaket: 48-µBGA CSP	Auf Lager4.302
GT28F320C3BA110 Intel	Speicher IC FLASH 32M PARALLEL 48UBGA CSP Hersteller: Intel Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - Boot Block Speichergröße: 32Mb (2M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 110ns Zugriffszeit: 110ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-VFBGA Lieferantengerätepaket: 48-µBGA CSP	Auf Lager6.288
GT28F320C3TA100SB93 Intel	Speicher IC FLASH 32M PARALLEL 48UBGA CSP Hersteller: Intel Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - Boot Block Speichergröße: 32Mb (2M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns Zugriffszeit: 100ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-VFBGA Lieferantengerätepaket: 48-µBGA CSP	Auf Lager7.200
GT28F320C3TA110 Intel	Speicher IC FLASH 32M PARALLEL 48UBGA CSP Hersteller: Intel Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - Boot Block Speichergröße: 32Mb (2M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 110ns Zugriffszeit: 110ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-VFBGA Lieferantengerätepaket: 48-µBGA CSP	Auf Lager8.856
HM216514TTI5SE Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 44TSOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 8Mb (512K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns Zugriffszeit: 55ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II	Auf Lager3.472
HM216514TTI5SEZ Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 44TSOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 8Mb (512K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns Zugriffszeit: 55ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II	Auf Lager5.760
HM28100TTI5SE Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 44TSOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 8Mb (1M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns Zugriffszeit: 55ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II	Auf Lager5.457
HN58X25128FPIAG#S0 Renesas Electronics America	Speicher IC EEPROM 128K SPI 5MHZ 8SOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 128Kb (16K x 8) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 5MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.8V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager3.492
HN58X25256FPIAG#S0 Renesas Electronics America	Speicher IC EEPROM 256K SPI 5MHZ 8SOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 5MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.8V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager5.261
HT6256DC Honeywell Aerospace	Speicher IC SRAM 256K PARALLEL 28CDIP Hersteller: Honeywell Aerospace Serie: HTMOS™ Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 20MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 50ns Zugriffszeit: 50ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -55°C ~ 225°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 28-CDIP (0.600", 15.24mm) Lieferantengerätepaket: 28-CDIP	Auf Lager7.434
HTEE25608 Honeywell Aerospace	Speicher IC EEPROM 256K PARALLEL 56CPGA Hersteller: Honeywell Aerospace Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel, SPI Taktfrequenz: 5MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 90ms Zugriffszeit: 150ns Spannung - Versorgung: 4.75V ~ 5.25V Betriebstemperatur: -55°C ~ 225°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 56-BCPGA Lieferantengerätepaket: 56-CPGA	Auf Lager6.840
HTEE25608D Honeywell Aerospace	Speicher IC EEPROM 256K PARALLEL 56CPGA Hersteller: Honeywell Aerospace Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel, SPI Taktfrequenz: 5MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 90ms Zugriffszeit: 150ns Spannung - Versorgung: 4.75V ~ 5.25V Betriebstemperatur: -55°C ~ 225°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 56-BCPGA Lieferantengerätepaket: 56-CPGA	Auf Lager8.838
HYB18T1G800BF-3S Qimonda	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 68TFBGA Hersteller: Qimonda Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 68-TFBGA Lieferantengerätepaket: 68-TFBGA (17x10)	Auf Lager7.992
HYB25D128800CE-6 Qimonda	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II Hersteller: Qimonda Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 128Mb (16M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II	Auf Lager3.168
HYB25D512800CE-5 Qimonda	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II Hersteller: Qimonda Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II	Auf Lager14.364
HYB25D512800CE-6 Qimonda	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II Hersteller: Qimonda Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II	Auf Lager16.236
IDT6116LA20SO IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Asynchronous Speichergröße: 16Kb (2K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 20ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket: 24-SOIC	Auf Lager6.120
IDT6116LA20SO8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Asynchronous Speichergröße: 16Kb (2K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 20ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket: 24-SOIC	Auf Lager2.880
IDT6116LA20TP IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Asynchronous Speichergröße: 16Kb (2K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 20ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 24-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 24-PDIP	Auf Lager6.462
IDT6116LA25SO IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Asynchronous Speichergröße: 16Kb (2K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: 25ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket: 24-SOIC	Auf Lager8.208
IDT6116LA25SO8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Asynchronous Speichergröße: 16Kb (2K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: 25ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket: 24-SOIC	Auf Lager4.590
IDT6116LA25TP IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Asynchronous Speichergröße: 16Kb (2K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: 25ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 24-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 24-PDIP	Auf Lager4.644
IDT6116LA35SO IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Asynchronous Speichergröße: 16Kb (2K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns Zugriffszeit: 35ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket: 24-SOIC	Auf Lager3.240
IDT6116LA35SO8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Asynchronous Speichergröße: 16Kb (2K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns Zugriffszeit: 35ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket: 24-SOIC	Auf Lager4.104
IDT6116LA35SOG IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Asynchronous Speichergröße: 16Kb (2K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns Zugriffszeit: 35ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket: 24-SOIC	Auf Lager8.316
IDT6116LA35SOG8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Asynchronous Speichergröße: 16Kb (2K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns Zugriffszeit: 35ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket: 24-SOIC	Auf Lager2.772

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