Speicher-ICs

IS42S32160F-75ETLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 512Mb (16M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

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IS42S32160F-75ETL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 512Mb (16M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

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IS42S32160F-7BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 512Mb (16M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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IS42S32160F-7BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 512Mb (16M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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IS42S32160F-7BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 512Mb (16M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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IS42S32160F-7BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 512Mb (16M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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IS42S32160F-7TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 512Mb (16M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

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IS42S32160F-7TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 512Mb (16M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

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IS42S32160F-7TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 512Mb (16M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

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IS42S32160F-7TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 512Mb (16M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

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IS42S32200C1-55T

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 183MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5ns
• Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

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IS42S32200C1-55TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 183MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5ns
• Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

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IS42S32200C1-55TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 183MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5ns
• Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

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IS42S32200C1-55T-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 183MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5ns
• Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

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IS42S32200C1-6T

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

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IS42S32200C1-6TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

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IS42S32200C1-6TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

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IS42S32200C1-6TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

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IS42S32200C1-6TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

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IS42S32200C1-6T-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

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IS42S32200C1-7B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 90BGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-LFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-BGA (13x8)

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IS42S32200C1-7BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 90BGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-LFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-BGA (13x8)

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IS42S32200C1-7BI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 90BGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-LFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-BGA (13x8)

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IS42S32200C1-7BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 90BGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-LFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-BGA (13x8)

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IS42S32200C1-7BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 90BGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-LFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-BGA (13x8)

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IS42S32200C1-7BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 90BGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-LFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-BGA (13x8)

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IS42S32200C1-7BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 90BGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-LFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-BGA (13x8)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 90BGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-LFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-BGA (13x8)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

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IS42S32200C1-7TI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

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