Speicher-ICs

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IS42S32400B-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager6.408
IS42S32400B-6T-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager3.726
IS42S32400B-7B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager6.318
IS42S32400B-7BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager6.606
IS42S32400B-7BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager4.824
IS42S32400B-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager6.246
IS42S32400B-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager2.592
IS42S32400B-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager7.938
IS42S32400B-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager5.292
IS42S32400B-7B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager3.544
IS42S32400B-7T ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager2.322
IS42S32400B-7TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager4.716
IS42S32400B-7TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager2.898
IS42S32400B-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager2.448
IS42S32400B-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager17.566
IS42S32400B-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager4.032
IS42S32400B-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager3.744
IS42S32400B-7T-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager5.130
IS42S32400D-6B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager5.220
IS42S32400D-6B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager8.604
IS42S32400D-6T ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager6.174
IS42S32400D-6T-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager7.146
IS42S32400D-7B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager2.646
IS42S32400D-7BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager5.148
IS42S32400D-7BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager6.678
IS42S32400D-7B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager8.118
IS42S32400D-7T ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager3.402
IS42S32400D-7TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager3.544
IS42S32400D-7TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager3.438
IS42S32400D-7T-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager5.652

IS42S32400B-6TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM
Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5.4ns
Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

Auf Lager6.408

IS42S32400B-6T-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM
Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5.4ns
Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

Auf Lager3.726

IS42S32400B-7B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM
Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5.4ns
Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

Auf Lager6.318

IS42S32400B-7BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM
Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5.4ns
Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

Auf Lager6.606

IS42S32400B-7BI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM
Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5.4ns
Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

Auf Lager4.824

IS42S32400B-7BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM
Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5.4ns
Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

Auf Lager6.246

IS42S32400B-7BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM
Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5.4ns
Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

Auf Lager2.592

IS42S32400B-7BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM
Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5.4ns
Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

Auf Lager7.938

IS42S32400B-7BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM
Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5.4ns
Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

Auf Lager5.292

IS42S32400B-7B-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM
Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5.4ns
Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM
Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5.4ns
Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM
Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5.4ns
Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM
Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5.4ns
Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM
Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5.4ns
Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

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IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM
Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5.4ns
Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

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IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM
Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5.4ns
Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM
Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5.4ns
Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

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IS42S32400B-7T-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM
Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5.4ns
Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

Auf Lager5.130

IS42S32400D-6B

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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM
Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5.4ns
Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

Auf Lager5.220

IS42S32400D-6B-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM
Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5.4ns
Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

Auf Lager8.604

IS42S32400D-6T

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM
Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5.4ns
Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

Auf Lager6.174

IS42S32400D-6T-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM
Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5.4ns
Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

Auf Lager7.146

IS42S32400D-7B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM
Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5.4ns
Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

Auf Lager2.646

IS42S32400D-7BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM
Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5.4ns
Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

Auf Lager5.148

IS42S32400D-7BI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM
Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5.4ns
Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

Auf Lager6.678

IS42S32400D-7B-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM
Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5.4ns
Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

Auf Lager8.118

IS42S32400D-7T

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM
Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5.4ns
Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

Auf Lager3.402

IS42S32400D-7TI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM
Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5.4ns
Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

Auf Lager3.544

IS42S32400D-7TI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM
Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5.4ns
Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

Auf Lager3.438

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Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM
Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5.4ns
Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

Auf Lager5.652

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