Transistoren

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BSZ100N06NSATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta), 36W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TSDSON-8-FL Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager45.072
BSZ105N04NSGATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Ta), 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta), 35W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TSDSON-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager4.068
BSZ110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TSDSON-8 Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager254.220
BSZ110N08NS5ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TSDSON-8-FL Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager50.232
BSZ120P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Ta), 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3360pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta), 52W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TSDSON-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager3.564
BSZ120P03NS3GATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Ta), 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3360pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta), 52W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TSDSON-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager2.646
BSZ123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Ta), 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta), 66W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TSDSON-8 Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager37.524
BSZ12DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TSDSON-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager6.588
BSZ130N03LSGATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Ta), 35A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta), 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TSDSON-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager122.430
BSZ130N03MSGATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta), 35A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta), 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TSDSON-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager8.064
BSZ146N10LS5ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MV POWER MOS Hersteller: Infineon Technologies Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TSDSON-8-FL Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager7.416
BSZ150N10LS3GATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 33µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta), 63W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TSDSON-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager5.094
BSZ160N10NS3GATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Ta), 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta), 63W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TSDSON-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager5.094
BSZ165N04NSGATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.9A (Ta), 31A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta), 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TSDSON-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager6.660
BSZ16DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 62.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TSDSON-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager44.184
BSZ180P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta), 39.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2220pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta), 40W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TSDSON-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager3.780
BSZ180P03NS3GATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta), 39.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2220pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta), 40W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TSDSON-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager4.788
BSZ22DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 34W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TSDSON-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager6.642
BSZ240N12NS3GATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 120V 37A TSDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 120V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 37A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 60V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 66W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TSDSON-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager3.366
BSZ300N15NS5ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 8TDSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 32A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.6V @ 32µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 75V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 62.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TSDSON-8-FL Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager8.046
BSZ340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 23A TSDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Ta), 23A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta), 32W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TSDSON-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager146.436
BSZ42DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 33.8W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TSDSON-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager3.600
BSZ440N10NS3GATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.3A (Ta), 18A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 12µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 29W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TSDSON-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager314.328
BSZ520N15NS3GATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 21A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 890pF @ 75V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 57W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TSDSON-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager334.638
BSZ900N15NS3GATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 75V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 38W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TSDSON-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager7.794
BSZ900N20NS3GATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15.2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 62.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TSDSON-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager8.892
BTS110E3045ANTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 10A TO-220 Hersteller: Infineon Technologies Serie: TEMPFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager7.092
BTS110NKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 10A TO-220 Hersteller: Infineon Technologies Serie: TEMPFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager2.052
BTS113AE3045ANTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: TEMPFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 5.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 40W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager5.112
BTS113AE3064NKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: TEMPFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 5.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 40W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: P-TO220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager7.110

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