Transistoren

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FCU4300N80Z ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET® II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 800mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 160µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 27.8W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager7.434
FCU5N60TU ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 54W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager3.258
FCU600N65S3R0 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single SUPERFET3 650V IPAK PKG Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET® III FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 465pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 54W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager16.032
FCU7N60TU ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 83W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager7.884
FCU850N80Z ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 6A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET® II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1315pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 75W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager17.250
FCU900N60Z ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 600V 4.5A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET® II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 52W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager14.604
FD70N20PWD ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 70A TO-3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 70A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3P Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager3.204
FDA032N08 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 120A TO-3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 15160pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 375W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PN Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager8.244
FDA15N65 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 16A TO-3PN Hersteller: ON Semiconductor Serie: UniFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3095pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 260W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PN Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager6.192
FDA16N50 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 16.5A TO-3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: UniFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 8.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1945pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 205W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PN Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager3.852
FDA16N50-F109 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 16.5A TO-3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: UniFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 8.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1945pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 205W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PN Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager7.392
FDA16N50LDTU ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single UNIFET N-CHANNEL 500V MOSFET LDT Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 8.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1945pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 205W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PN (L-Forming) Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 (Formed Leads)	Auf Lager9.240
FDA18N50 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 19A TO-3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: UniFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 19A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2860pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 239W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PN Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager8.226
FDA20N50F ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 22A TO-3PN Hersteller: ON Semiconductor Serie: UniFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3390pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 388W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PN Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager14.274
FDA20N50-F109 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: UniFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.5nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3120pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 280W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PN Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager7.920
FDA24N40F ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 400V 23A TO-3PN Hersteller: ON Semiconductor Serie: UniFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 23A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3030pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 235W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PN Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager10.392
FDA24N50 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN Hersteller: ON Semiconductor Serie: UniFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 24A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4150pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 270W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PN Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager6.756
FDA24N50F ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 24A TO-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: UniFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 24A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4310pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 270W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PN Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager7.290
FDA2712 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 64A TO-3PN Hersteller: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 64A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10175pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 357W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PN Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager8.766
FDA28N50 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN Hersteller: ON Semiconductor Serie: UniFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 28A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5140pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 310W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PN Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager8.304
FDA28N50F ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN Hersteller: ON Semiconductor Serie: UniFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 28A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5387pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 310W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PN Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager7.056
FDA33N25 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 33A TO-3PN Hersteller: ON Semiconductor Serie: UniFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 33A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 245W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PN Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager18.828
FDA38N30 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 300V TO-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: UniFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 38A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 312W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PN Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager22.554
FDA50N50 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 48A TO-3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: UniFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 48A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6460pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 625W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PN Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager8.304
FDA59N25 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 59A TO-3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: UniFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 59A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 29.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 392W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PN Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager9.348
FDA59N30 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 300V 59A TO-3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: UniFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 59A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 29.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4670pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PN Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager22.104
FDA62N28 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 280V 62A TO-3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: UniFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 280V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 62A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 31A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4630pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PN Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager5.472
FDA69N25 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 69A TO-3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: UniFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 69A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 34.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4640pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 480W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PN Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager16.704
FDA70N20 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 70A TO-3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: UniFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 70A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3970pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 417W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PN Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager9.732
FDA75N28 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 280V 75A TO-3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: UniFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 280V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 37.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6700pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 520W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PN Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager8.388

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