Transistoren

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FQI8N60CTU ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1255pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.13W (Ta), 147W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK (TO-262) Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager4.860
FQI8P10TU ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 100V 8A I2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.75W (Ta), 65W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK (TO-262) Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager4.554
FQI9N08LTU ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.65A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.75W (Ta), 40W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK (TO-262) Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager6.660
FQI9N08TU ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.65A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.75W (Ta), 40W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK (TO-262) Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager4.554
FQI9N15TU ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V 9A I2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.75W (Ta), 75W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK (TO-262) Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager5.148
FQI9N25CTU ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 8.8A I2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.13W (Ta), 74W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK (TO-262) Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager5.022
FQI9N50CTU ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 135W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK (TO-262) Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager3.096
FQI9N50TU ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1450pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.13W (Ta), 147W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK (TO-262) Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager8.928
FQL40N50 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 40A TO-264 Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 460W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264-3 Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager9.780
FQL40N50F ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 40A TO-264 Hersteller: ON Semiconductor Serie: FRFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 460W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264-3 Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager5.670
FQL50N40 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 400V 50A TO-264 Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 460W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264-3 Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager3.114
FQN1N50CBU ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 380mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 195pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 890mW (Ta), 2.08W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager2.556
FQN1N50CTA ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 380mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 195pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 890mW (Ta), 2.08W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Auf Lager22.044
FQN1N60CBU ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 300mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 150mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 170pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta), 3W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager2.934
FQN1N60CTA ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 300mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 150mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 170pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta), 3W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Auf Lager128.466
FQNL1N50BBU ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 0.27A TO-92L Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 270mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 135mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)	Auf Lager6.408
FQNL1N50BTA ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 0.27A TO-92L Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 270mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 135mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)	Auf Lager2.358
FQNL2N50BBU ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92L Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 350mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 175mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)	Auf Lager8.280
FQNL2N50BTA ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 350mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 175mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)	Auf Lager18.432
FQP10N20 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 10A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 87W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager6.714
FQP10N20C ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 72W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager15.936
FQP10N20CTSTU ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 72W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager2.106
FQP10N60C ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2040pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 156W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager5.202
FQP11N40 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 400V 11.4A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 5.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 147W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager5.778
FQP11N40C ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 400V 10.5A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 5.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1090pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 135W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager7.044
FQP11N50CF ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 11A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: FRFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2055pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 195W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager4.698
FQP11P06 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V 11.4A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 5.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 53W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager16.884
FQP12N60 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 10.5A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 180W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager2.538
FQP12N60C ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 12A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2290pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 225W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager18.264
FQP12P10 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 100V 11.5A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 75W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager16.356

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