Transistoren

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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
HAT2172H-EL-E Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 20W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK Paket / Fall: SC-100, SOT-669	Auf Lager4.500
HAT2173H-EL-E Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6V @ 20mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4350pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 30W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK Paket / Fall: SC-100, SOT-669	Auf Lager4.068
HAT2173HWS-E Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH LFPAK-5 Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6V @ 20mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4350pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 30W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-LFPAK Paket / Fall: SC-100, SOT-669	Auf Lager3.454
HAT2174H-EL-E Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 20A 5LFPAK Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2280pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 20W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK Paket / Fall: SC-100, SOT-669	Auf Lager8.442
HAT2175H-EL-E Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 15A 5LFPAK Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1445pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 15W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK Paket / Fall: SC-100, SOT-669	Auf Lager3.060
HAT2185WPWS-E Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-PAK WPAK Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 20W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WPAK Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager3.096
HAT2192WP-EL-E Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 10A WPAK Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 25W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WPAK Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager5.760
HAT2197R-EL-E Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2650pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOP Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager3.330
HAT2256RWS-E Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-PAK 8SOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1210pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOP Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager6.228
HAT2261H-EL-E Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 45A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 22.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4400pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 25W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-LFPAK Paket / Fall: SC-100, SOT-669	Auf Lager8.838
HAT2266H-EL-E Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 30A LFPAK Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 23W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK Paket / Fall: SC-100, SOT-669	Auf Lager5.472
HAT2266HWS-E Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-PAK 8SOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 23W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-LFPAK Paket / Fall: SC-100, SOT-669	Auf Lager4.212
HAT2267H-EL-E Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 25A 5LFPAK Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2150pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 25W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK Paket / Fall: SC-100, SOT-669	Auf Lager7.974
HAT2279H-EL-E Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3520pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 25W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK Paket / Fall: SC-100, SOT-669	Auf Lager2.646
HAT2279HWS-E Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-PAK 8SOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3520pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 25W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-LFPAK Paket / Fall: SC-100, SOT-669	Auf Lager2.178
HAT2287WP-EL-E Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH WPAK Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 30W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WPAK Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager3.562
HAT2299WP-EL-E Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH WPAK Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 25W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WPAK Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager6.534
HCT7000M TT Electronics/Optek Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 200MA SMD Hersteller: TT Electronics/Optek Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±40V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-SMD Paket / Fall: 3-SMD, No Lead	Auf Lager3.456
HCT7000MTX TT Electronics/Optek Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 200MA SMD Hersteller: TT Electronics/Optek Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±40V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-SMD Paket / Fall: 3-SMD, No Lead	Auf Lager6.498
HCT7000MTXV TT Electronics/Optek Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 200MA SMD Hersteller: TT Electronics/Optek Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±40V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-SMD Paket / Fall: 3-SMD, No Lead	Auf Lager4.338
HN4K03JUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 0.1A USV Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5pF @ 3V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 200mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: USV Paket / Fall: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	Auf Lager2.376
HRF3205 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 100A TO-220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 175W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager5.508
HRFZ44N ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 49A TO-220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 49A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 20V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 120W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager4.806
HS54095TZ-E Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 0.2A TO-92 Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 66pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 750mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Short Body	Auf Lager5.580
HTNFET-D Honeywell Aerospace	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 8-DIP Hersteller: Honeywell Aerospace Serie: HTMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 100mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 5V Vgs (Max): 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 28V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 225°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: 8-CDIP-EP Paket / Fall: 8-CDIP Exposed Pad	Auf Lager2.988
HTNFET-DC Honeywell Aerospace	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 8-DIP Hersteller: Honeywell Aerospace Serie: HTMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 100mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 5V Vgs (Max): 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 28V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tj) Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: 8-CDIP Exposed Pad	Auf Lager4.824
HTNFET-T Honeywell Aerospace	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 4-PIN Hersteller: Honeywell Aerospace Serie: HTMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 100mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 5V Vgs (Max): 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 28V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 225°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: 4-Power Tab Paket / Fall: 4-SIP	Auf Lager2.214
HTNFET-TC Honeywell Aerospace	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 4-PIN Hersteller: Honeywell Aerospace Serie: HTMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 100mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 5V Vgs (Max): 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 28V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tj) Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager8.946
HUF75229P3 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 50V 44A TO-220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 44A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 20V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 90W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager7.470
HUF75307D3 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 15A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 20V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 45W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager5.454

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