Transistoren

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HUF75307D3ST ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 15A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 20V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 45W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252AA Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.814
HUF75307T3ST ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 20V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager5.616
HUF75309D3S ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 19A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 19A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 20V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 55W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.582
HUF75309D3ST ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 19A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 19A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 20V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 55W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.160
HUF75309P3 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 19A TO-220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 19A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 20V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 55W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager2.556
HUF75309T3ST ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 20V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 352pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager7.092
HUF75321D3 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 20A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 20V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 93W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager4.212
HUF75321D3S ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 20A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 20V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 93W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252AA Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.034
HUF75321D3ST ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 20A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 20V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 93W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252AA Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.204
HUF75321P3 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 35A TO-220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 35A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 20V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 93W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager23.268
HUF75321S3S ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 35A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 20V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 93W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D²PAK (TO-263AB) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager7.830
HUF75329D3 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 20A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 20V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 128W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager3.726
HUF75329D3S ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 20A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 20V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 128W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252AA Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.562
HUF75329D3ST ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 20A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 20V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 128W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252AA Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.016
HUF75329G3 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 49A TO-247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 49A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 49A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 20V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 128W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager2.100
HUF75329P3 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 49A TO-220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 49A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 49A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 20V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 128W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager8.964
HUF75329S3 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 49A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 49A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 20V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 128W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D²PAK (TO-263AB) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager2.088
HUF75332P3 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 60A TO-220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 20V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 145W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager16.920
HUF75332S3ST ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 20V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 145W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D²PAK (TO-263AB) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager7.740
HUF75333P3 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 60A TO-220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 66A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 20V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager3.186
HUF75333S3 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 60A TO-262AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 66A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 20V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK (TO-262) Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager3.060
HUF75333S3ST ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 66A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 20V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D²PAK (TO-263AB) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager4.446
HUF75337P3 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109nC @ 20V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1775pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 175W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager6.426
HUF75337S3S ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109nC @ 20V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1775pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 175W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D²PAK (TO-263AB) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager4.176
HUF75339G3 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 75A TO-247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 20V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 200W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager2.106
HUF75339P3 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 20V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 200W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager6.396
HUF75343G3 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 75A TO-247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205nC @ 20V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 270W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager7.182
HUF75343P3 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205nC @ 20V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 270W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager3.454
HUF75343S3 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 75A TO-262AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205nC @ 20V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 270W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK (TO-262) Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager6.660
HUF75343S3S ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205nC @ 20V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 270W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D²PAK (TO-263AB) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager7.020

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