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Transistoren

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Beschreibung
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IPA50R190CEXKSA2
IPA50R190CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: CoolMOS™ CE
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18.5A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1137pF @ 100V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 32W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: PG-TO220 Full Pack
  • Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack
Auf Lager20.148
IPA50R199CPXKSA1
IPA50R199CPXKSA1

Infineon Technologies

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 17A TO220-3

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: CoolMOS™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 100V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 139W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: PG-TO220-FP
  • Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack
Auf Lager3.672
IPA50R250CPXKSA1
IPA50R250CPXKSA1

Infineon Technologies

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: CoolMOS™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1420pF @ 100V
  • FET-Funktion: Super Junction
  • Verlustleistung (max.): 33W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: PG-TO220-FP
  • Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack
Auf Lager11.328
IPA50R280CE
IPA50R280CE

Infineon Technologies

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO220FP

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: CoolMOS™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 773pF @ 100V
  • FET-Funktion: Super Junction
  • Verlustleistung (max.): 30.4W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: PG-TO220-FP
  • Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack
Auf Lager5.166
IPA50R280CEXKSA2
IPA50R280CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 7.5A TO-220FP

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: CoolMOS™ CE
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.5A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 773pF @ 100V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 30.4W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-220 Full Pack
  • Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack
Auf Lager8.820
IPA50R299CPXKSA1
IPA50R299CPXKSA1

Infineon Technologies

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: CoolMOS™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 550V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 100V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 104W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: PG-TO220-FP
  • Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack
Auf Lager5.400
IPA50R350CPXKSA1
IPA50R350CPXKSA1

Infineon Technologies

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: CoolMOS™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 370µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 100V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 32W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: PG-TO220-FP
  • Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack
Auf Lager5.022
IPA50R380CE
IPA50R380CE

Infineon Technologies

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220FP

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: CoolMOS™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.9A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 584pF @ 100V
  • FET-Funktion: Super Junction
  • Verlustleistung (max.): 29.2W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: PG-TO220-FP
  • Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack
Auf Lager3.078
IPA50R380CEXKSA2
IPA50R380CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 6.3A TO-220FP

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: CoolMOS™ CE
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.3A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 584pF @ 100V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 29.2W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-220 Full Pack
  • Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack
Auf Lager18.588
IPA50R399CPXKSA1
IPA50R399CPXKSA1

Infineon Technologies

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: CoolMOS™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 890pF @ 100V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 83W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: PG-TO220-FP
  • Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack
Auf Lager5.274
IPA50R500CE
IPA50R500CE

Infineon Technologies

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO220FP

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: CoolMOS™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.6A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 433pF @ 100V
  • FET-Funktion: Super Junction
  • Verlustleistung (max.): 28W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: PG-TO220-FP
  • Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack
Auf Lager2.610
IPA50R500CEXKSA2
IPA50R500CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 5.4A TO-220FP

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: CoolMOS™ CE
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.4A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 433pF @ 100V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 28W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-220 Full Pack
  • Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack
Auf Lager7.326
IPA50R520CPXKSA1
IPA50R520CPXKSA1

Infineon Technologies

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 7.1A TO220-3

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: CoolMOS™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.1A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 100V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 66W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: PG-TO220-FP
  • Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack
Auf Lager4.608
IPA50R650CE
IPA50R650CE

Infineon Technologies

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220FP

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: CoolMOS™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.1A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 342pF @ 100V
  • FET-Funktion: Super Junction
  • Verlustleistung (max.): 27.2W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: PG-TO220-FP
  • Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack
Auf Lager8.010
IPA50R650CEXKSA2
IPA50R650CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 4.6A TO-220FP

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: CoolMOS™ CE
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.6A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 342pF @ 100V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 27.2W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-220 Full Pack
  • Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack
Auf Lager7.470
IPA50R800CE
IPA50R800CE

Infineon Technologies

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 5A PG-TO220 FPK

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: CoolMOS™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 100V
  • FET-Funktion: Super Junction
  • Verlustleistung (max.): 26.4W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: PG-TO220-FP
  • Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack
Auf Lager5.382
IPA50R800CEXKSA2
IPA50R800CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 4.1A TO-220FP

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: CoolMOS™ CE
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.1A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 100V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 26.4W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-220 Full Pack
  • Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack
Auf Lager5.850
IPA50R950CE
IPA50R950CE

Infineon Technologies

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO220FP

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: CoolMOS™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.3A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 231pF @ 100V
  • FET-Funktion: Super Junction
  • Verlustleistung (max.): 25.7W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: PG-TO220-FP
  • Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack
Auf Lager7.434
IPA50R950CEXKSA2
IPA50R950CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 3.7A TO-220FP

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: CoolMOS™ CE
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.7A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 231pF @ 100V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 25.7W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-220 Full Pack
  • Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack
Auf Lager17.040
IPA60R060C7XKSA1
IPA60R060C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 600V 16A TO-220FP

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: CoolMOS™ C7
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2850pF @ 400V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 34W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: PG-TO220 Full Pack
  • Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack
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IPA60R060P7XKSA1
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Infineon Technologies

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CHANNEL 600V 48A TO220

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: CoolMOS™ P7
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 48A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2895pF @ 400V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 29W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: PG-TO220 Full Pack
  • Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack
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Infineon Technologies

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CHANNEL 600V 37A TO220

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: CoolMOS™ P7
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 37A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2180pF @ 400V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 29W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: PG-TO220 Full Pack
  • Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack
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IPA60R099C6XKSA1
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Infineon Technologies

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: CoolMOS™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 37.9A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2660pF @ 100V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 35W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: PG-TO220-FP
  • Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack
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Infineon Technologies

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 600V TO220-3

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: CoolMOS™ C7
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1819pF @ 400V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 33W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: PG-TO220-FP
  • Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack
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IPA60R099P6XKSA1
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Infineon Technologies

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 600V TO220FP-3

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: CoolMOS™ P6
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 37.9A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3330pF @ 100V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 34W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: PG-TO220-FP
  • Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack
Auf Lager7.512
IPA60R099P7XKSA1
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Infineon Technologies

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CHANNEL 600V 31A TO220

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: CoolMOS™ P7
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 31A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1952pF @ 400V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 29W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: PG-TO220 Full Pack
  • Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack
Auf Lager20.100
IPA60R120C7XKSA1
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Infineon Technologies

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP-3

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: CoolMOS™ C7
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 400V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 32W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: PG-TO220 Full Pack
  • Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack
Auf Lager7.542
IPA60R120P7XKSA1
IPA60R120P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CHANNEL 600V 26A TO220

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: CoolMOS™ P7
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 26A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1544pF @ 400V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 28W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: PG-TO220 Full Pack
  • Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack
Auf Lager7.218
IPA60R125C6E8191XKSA1
IPA60R125C6E8191XKSA1

Infineon Technologies

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH TO220-3

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • FET-Typ: -
  • Technologie: -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (Max): -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Lieferantengerätepaket: -
  • Paket / Fall: -
Auf Lager7.416
IPA60R125C6XKSA1
IPA60R125C6XKSA1

Infineon Technologies

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: CoolMOS™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2127pF @ 100V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 34W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: PG-TO220-FP
  • Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack
Auf Lager9.864