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HUFA76645S3S ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 310W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D²PAK (TO-263AB) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager7.668
HUFA76645S3ST ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 310W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D²PAK (TO-263AB) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager4.032
HUFA76645S3ST-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 310W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D²PAK (TO-263AB) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager5.004
IAUA200N04S5N010AUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET_(20V 40V) Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7650pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 167W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-HSOF-5-1 Paket / Fall: 5-PowerSFN	Auf Lager3.330
IAUC100N10S5L040ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET_(75V 120V( Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™-5 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5200pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 167W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-34 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager3.562
IAUC100N10S5N040ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET_(75V 120V( Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™-5 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 90µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5200pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 167W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-34 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager7.884
IAUC120N04S6L008ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 120A PG-HSOG-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7910pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-33 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager4.086
IAUC120N04S6N009ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 120A PG-HSOG-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.4V @ 90µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7360pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-33 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager3.960
IAUS165N08S5N029ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 660A PG-HSOG-8-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 165A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6370pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 167W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-HSOG-8-1 Paket / Fall: 8-PowerSMD, Gull Wing	Auf Lager19.356
IAUS200N08S5N023ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 200A PG-HSOG-8-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7670pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 200W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-HSOG-8-1 Paket / Fall: 8-PowerSMD, Gull Wing	Auf Lager2.250
IAUS240N08S5N019ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 240A PG-HSOG-8-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 240A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9264pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 230W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-HSOG-8-1 Paket / Fall: 8-PowerSMD, Gull Wing	Auf Lager2.988
IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 300A PG-HSOG-8-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 300A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16250pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 375W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-HSOG-8-1 Paket / Fall: 8-PowerSMD, Gull Wing	Auf Lager2.088
IAUS300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 300A PG-HSOG-8-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 300A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13178pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-HSOG-8-1 Paket / Fall: 8-PowerSMD, Gull Wing	Auf Lager6.696
IAUT150N10S5N035ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single 100V 150A 3.5MOHM TOLL Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™-5 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 150A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6110pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 166W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-HSOF-8-1 Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager4.590
IAUT165N08S5N029ATMA2 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 165A 80V 120V 8HSOF Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 165A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6370pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 167W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-HSOF-8-1 Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager7.668
IAUT200N08S5N023ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single 80V 200A 2.3MOHM TOLL Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™-5 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7670pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 200W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-HSOF-8-1 Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager6.786
IAUT240N08S5N019ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 8HSOF Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™-5 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 240A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9264pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 230W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-HSOF-8-1 Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager5.418
IAUT260N10S5N019ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET_(75V,120V( Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™-5 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 260A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11830pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-HSOF-8-1 Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager22.458
IAUT300N08S5N012ATMA2 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 120V 8HSOF Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 300A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16250pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 375W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-HSOF-8-1 Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager7.272
IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single 80V 300A 1.4MOHM TOLL Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™-5 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 300A (DC) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13178pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-HSOF-8-1 Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager6.156
IAUT300N10S5N015ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET_(75V,120V( Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™-5 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 300A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16011pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 375W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-HSOF-8-1 Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager2.034
IGLD60R070D1AUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single IC GAN FET 600V 60A 8SON Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolGaN™ FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): -10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 114W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-LSON-8-1 Paket / Fall: 8-LDFN Exposed Pad	Auf Lager3.690
IGO60R070D1AUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single IC GAN FET 600V 60A 20DSO Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolGaN™ FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 31A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): -10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-DSO-20-85 Paket / Fall: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)	Auf Lager3.582
IGOT60R070D1AUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single IC GAN FET 600V 60A 20DSO Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolGaN™ FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 31A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): -10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-DSO-20-87 Paket / Fall: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)	Auf Lager8.280
IGT60R070D1ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single IC GAN FET 600V 60A 8HSOF Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolGaN™ FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 31A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): -10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-HSOF-8-3 Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager5.850
IGT60R190D1SATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single IC GAN FET 600V 23A 8HSOF Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolGaN™ FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): -10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 157pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 55.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-HSOF-8-3 Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager2.700
IMW120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single COOLSIC MOSFETS 1200V Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™ FET-Typ: N-Channel Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2kV Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 56A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 18V Vgs (Max): +23V, -7V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.12nF @ 800V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 227W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO247-3-41 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager2.790
IMW120R045M1XKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single COOLSIC MOSFETS 1200V Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™ FET-Typ: N-Channel Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2kV Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 52A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 15V Vgs (Max): +20V, -10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1.9nF @ 800V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 228W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO247-3-41 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager6.966
IMW120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single COOLSIC MOSFETS 1200V Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™ FET-Typ: N-Channel Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2kV Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 36A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 18V Vgs (Max): +23V, -7V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1.06nF @ 800V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO247-3-41 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager4.806
IMW120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single COOLSIC MOSFETS 1200V Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™ FET-Typ: N-Channel Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2kV Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 26A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 8.5A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 18V Vgs (Max): +23V, -7V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 707pF @ 800V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 115W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO247-3-41 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager2.394

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