Transistoren

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IPD60R2K1CEBTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V TO-252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 22W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.716
IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 9A TO252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 555pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 41W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.420
IPD60R360P7SAUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 555pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 41W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.172
IPD60R360P7SE8228AUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single CONSUMER Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 555pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 41W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.328
IPD60R380C6 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 83W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.532
IPD60R380C6ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ C6 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 83W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager298.596
IPD60R380E6ATMA2 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 600V 10.6A TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 100V FET-Funktion: Super Junction Verlustleistung (max.): 83W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.348
IPD60R380E6BTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 600V 10.6A TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 100V FET-Funktion: Super Junction Verlustleistung (max.): 83W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 155°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.304
IPD60R380P6ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V DPAK-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P6 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 877pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 83W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.122
IPD60R380P6BTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 3TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P6 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 877pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 83W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.298
IPD60R385CPATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 9A TO-252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CP FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 83W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager6.588
IPD60R385CPBTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 9A TO-252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 83W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.726
IPD60R3K3C6 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 93pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 18.1W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.230
IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ C6 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 93pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 18.1W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager26.280
IPD60R3K4CEAUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 2.6A TO252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 93pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 29W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.190
IPD60R400CEATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V TO-252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 83W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.568
IPD60R400CEAUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single CONSUMER Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 112W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.454
IPD60R450E6ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ E6 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 74W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.580
IPD60R450E6BTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 74W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.940
IPD60R460CEATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V TO-252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 74W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.928
IPD60R460CEAUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single CONSUMER Hersteller: Infineon Technologies Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager2.772
IPD60R520C6ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ C6 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 512pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 66W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.730
IPD60R520C6BTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 512pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 66W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.564
IPD60R520CPATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 66W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.934
IPD60R520CPBTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 66W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.488
IPD60R600C6ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ C6 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 63W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager26.064
IPD60R600C6BTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 63W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.038
IPD60R600CPATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 60W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager6.210
IPD60R600CPBTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 60W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.196
IPD60R600E6 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 63W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager20.346

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