Transistoren

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IPD60R600E6ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ E6 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 63W (Tc) Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.070
IPD60R600P6 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P6 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 557pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 63W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.866
IPD60R600P6ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P6 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 557pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 63W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.562
IPD60R600P7ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 363pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 30W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.122
IPD60R600P7SAUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 363pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 30W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.232
IPD60R600P7SE8228AUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single CONSUMER Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 363pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 30W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.376
IPD60R650CEATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V TO-252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 63W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.496
IPD60R650CEAUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single CONSUMER Hersteller: Infineon Technologies Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager2.430
IPD60R650CEBTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 7A TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 82W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.416
IPD60R750E6ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ E6 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 373pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 48W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.292
IPD60R750E6BTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 373pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 48W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.130
IPD60R800CEATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V TO-252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 373pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 48W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.682
IPD60R800CEAUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single CONSUMER Hersteller: Infineon Technologies Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager8.550
IPD60R950C6 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 37W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.244
IPD60R950C6ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ C6 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 37W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.904
IPD640N06LGBTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 18A TO-252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 16µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 47W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.178
IPD64CN10N G Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 17A TO252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 569pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 44W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.578
IPD650P06NMATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V TO252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1.04mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 83W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3-313 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager6.750
IPD650P06NMSAUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V TO252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1.04mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 83W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3-313 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.636
IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 13A TO-252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ C7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 72W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.580
IPD65R1K0CEAUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V TO-252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 328pF @ 100V FET-Funktion: Super Junction Verlustleistung (max.): 68W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.794
IPD65R1K4C6ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH TO252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ C6 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 28W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.256
IPD65R1K4CFDATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 262pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 28.4W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.022
IPD65R1K4CFDATMA2 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single LOW POWER_LEGACY Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CFD2 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 262pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 28.4W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.376
IPD65R1K4CFDBTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 262pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 28.4W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.814
IPD65R1K5CEAUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 700V 5.2A TO252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 53W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.338
IPD65R225C7ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ C7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 996pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 63W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.154
IPD65R250C6XTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 16.1A TO-252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 4.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 400µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 208.3W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.958
IPD65R250E6XTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH TO252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ E6 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 4.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 400µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 1000V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 208W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager26.724
IPD65R380C6ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ C6 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 83W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.968

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