Transistoren

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays (1.432)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt (1.584)
Transistoren - Bipolar (BJT) - RF (1.506)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single (13.715)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt (3.282)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays (3.829)
Transistoren - FETs, MOSFETs - RF (3.043)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single (29.970)
Transistoren - IGBTs - Arrays (18)
Transistoren - IGBTs - Module (2.367)
Transistoren - IGBTs - Single (3.305)
Transistoren - JFETs (664)
Transistoren - Programmierbare Unijunction (26)
Transistoren - Spezialzweck (162)

Datensätze 64.903

Seite 1301/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
IPD90P03P404ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10300pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 137W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager51.816
IPD90P03P4L04ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V Vgs (Max): +5V, -16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11300pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 137W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager86.736
IPD90P04P405ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10300pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3-313 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager234.708
IPD90P04P405AUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager4.482
IPD90P04P4L04ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11570pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3-313 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager46.140
IPD90R1K2C3ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 83W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager86.472
IPD90R1K2C3BTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 83W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.904
IPD950P06NMSAUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V TO252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3-313 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.824
IPD95R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 950V 6A TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 950V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 478pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 52W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.628
IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 950V 4A TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 950V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 37W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager19.272
IPD95R450P7ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 950V 14A TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 950V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1053pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 104W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.254
IPD95R750P7ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 950V 9A TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 950V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 712pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 73W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.590
IPDD60R050G7XTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 650V 135A PG-HDSOP-10 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ G7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 47A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2670pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 278W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-HDSOP-10-1 Paket / Fall: 10-PowerSOP Module	Auf Lager14.298
IPDD60R080G7XTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 650V 83A PG-HDSOP-10 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ G7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 29A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 9.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1640pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 174W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-HDSOP-10-1 Paket / Fall: 10-PowerSOP Module	Auf Lager14.322
IPDD60R102G7XTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 650V 66A PG-HDSOP-10 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ G7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 23A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1320pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 139W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-HDSOP-10-1 Paket / Fall: 10-PowerSOP Module	Auf Lager16.350
IPDD60R125G7XTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 650V 54A PG-HDSOP-10 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ G7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 120W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-HDSOP-10-1 Paket / Fall: 10-PowerSOP Module	Auf Lager17.796
IPDD60R150G7XTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 650V 45A PG-HDSOP-10 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ G7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 902pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 95W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-HDSOP-10-1 Paket / Fall: 10-PowerSOP Module	Auf Lager13.272
IPDD60R190G7XTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 650V 36A PG-HDSOP-10 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ G7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 210µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 718pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 76W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-HDSOP-10-1 Paket / Fall: 10-PowerSOP Module	Auf Lager6.426
IPDH4N03LAG Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3-11 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3200pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 94W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.758
IPDH5N03LA G Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 50A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2653pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 83W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager6.444
IPDH6N03LAG Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 71W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.002
IPF04N03LA Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 50A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5199pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 115W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: P-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.668
IPF04N03LA G Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 50A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5199pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 115W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: P-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.204
IPF05N03LA G Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 50A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3110pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 94W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: P-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.178
IPF06N03LA G Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 50A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2653pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 83W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: P-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.562
IPF09N03LA Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 50A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1642pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 63W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: P-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.590
IPF09N03LA G Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 50A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1642pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 63W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: P-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager6.408
IPF10N03LA Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 30A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1358pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 52W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: P-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.316
IPF10N03LA G Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 30A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1358pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 52W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: P-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.302
IPF13N03LA G Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 30A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1043pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 46W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: P-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.748

«
‹
1
...
1298
1299
1300
1301 (current)
1302
1303
1304
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistoren

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message