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IPI70N12S3L12AKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHANNEL_100+ Hersteller: Infineon Technologies Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager3.078
IPI70P04P409AKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH TO262-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 72A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 70A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4810pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 75W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3-1 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager6.678
IPI70R950CEXKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single CONSUMER Hersteller: Infineon Technologies Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager5.904
IPI77N06S3-09 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 77A TO-262 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 77A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 39A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 55µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5335pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 107W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager4.068
IPI80CN10N G Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 12µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 716pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 31W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager7.110
IPI80N03S4L03AKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9750pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 136W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager3.024
IPI80N03S4L04AKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5100pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 94W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager5.940
IPI80N04S204AKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5300pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager6.966
IPI80N04S204AKSA2 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5300pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3-1 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager3.456
IPI80N04S2H4AKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager6.588
IPI80N04S2H4AKSA2 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3-1 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager2.988
IPI80N04S303AKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7300pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 188W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager8.694
IPI80N04S304AKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 136W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager3.366
IPI80N04S306AKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 52µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3250pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager3.400
IPI80N04S3H4AKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 65µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3900pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 115W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager6.876
IPI80N04S403AKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5260pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 94W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager7.212
IPI80N04S404AKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3440pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 71W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager5.400
IPI80N04S4L04AKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (Max): +20V, -16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4690pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 71W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager7.542
IPI80N06S207AKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 250W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager3.366
IPI80N06S207AKSA2 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 250W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3-1 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager8.352
IPI80N06S208AKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 58A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2860pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 215W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager2.412
IPI80N06S208AKSA2 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 58A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2860pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 215W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3-1 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager3.186
IPI80N06S2L05AKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5700pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager7.164
IPI80N06S2L05AKSA2 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5700pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3-1 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager8.406
IPI80N06S2L11AKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 93µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2075pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 158W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager3.490
IPI80N06S2L11AKSA2 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 93µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2075pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 158W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3-1 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager4.230
IPI80N06S3-05 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 80A TO-262 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 63A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10760pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 165W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager2.880
IPI80N06S3-07 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 80A TO-262 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 51A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7768pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 135W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager2.880
IPI80N06S3L-05 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 80A TO-262 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 69A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 115µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13060pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 165W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager6.822
IPI80N06S3L06XK Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 80A TO-262 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 56A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 80µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9417pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 136W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager8.964

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