Transistoren

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IPL60R385CPAUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 83W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-VSON-4 Paket / Fall: 4-PowerTSFN	Auf Lager5.922
IPL60R650P6SATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 8THINPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P6 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 557pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 56.8W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-ThinPak (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager44.700
IPL65R070C7AUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 4VSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ C7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 28A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3020pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 169W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-VSON-4 Paket / Fall: 4-PowerTSFN	Auf Lager3.472
IPL65R099C7AUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 4VSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ C7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 21A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 5.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2140pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 128W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-VSON-4 Paket / Fall: 4-PowerTSFN	Auf Lager2.286
IPL65R130C7AUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ C7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1670pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 102W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-VSON-4 Paket / Fall: 4-PowerTSFN	Auf Lager29.676
IPL65R165CFDAUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 4VSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 21.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2340pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 195W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-VSON-4 Paket / Fall: 4-PowerTSFN	Auf Lager6.696
IPL65R165CFDAUMA2 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single HIGH POWER_LEGACY Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CFD2 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 21.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2340pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 195W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-VSON-4 Paket / Fall: 4-PowerTSFN	Auf Lager4.716
IPL65R190E6AUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 4VSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ E6 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20.2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1620pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 151W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-VSON-4 Paket / Fall: 4-PowerTSFN	Auf Lager8.586
IPL65R195C7AUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 4VSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ C7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 75W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-VSON-4 Paket / Fall: 4-PowerTSFN	Auf Lager7.272
IPL65R1K0C6SATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 8TSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ C6 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 328pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 34.7W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Thin-PAK (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager3.798
IPL65R1K5C6SATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 8TSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ C6 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 26.6W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Thin-PAK (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager6.138
IPL65R210CFDAUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 4VSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1850pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 151W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-VSON-4 Paket / Fall: 4-PowerTSFN	Auf Lager2.304
IPL65R210CFDAUMA2 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single LOW POWER_LEGACY Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CFD2 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1850pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 151W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-VSON-4 Paket / Fall: 4-PowerTSFN	Auf Lager7.290
IPL65R230C7AUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ C7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 996pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 67W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-VSON-4 Paket / Fall: 4-PowerTSFN	Auf Lager7.092
IPL65R310E6AUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 4VSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ E6 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 400µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 104W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Thin-Pak (8x8) Paket / Fall: 4-PowerTSFN	Auf Lager8.820
IPL65R340CFDAUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 4VSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 4.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 104.2W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Thin-Pak (8x8) Paket / Fall: 4-PowerTSFN	Auf Lager2.214
IPL65R340CFDAUMA2 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single LOW POWER_LEGACY Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CFD2 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 4.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 104.2W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-VSON-4 Paket / Fall: 4-PowerTSFN	Auf Lager2.376
IPL65R420E6AUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 4VSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ E6 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 83W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Thin-Pak (8x8) Paket / Fall: 4-PowerTSFN	Auf Lager4.176
IPL65R460CFDAUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 4VSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 83.3W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Thin-Pak (8x8) Paket / Fall: 4-PowerTSFN	Auf Lager3.672
IPL65R650C6SATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 8TSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ C6 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 56.8W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Thin-PAK (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager6.840
IPL65R660E6AUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 4VSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ E6 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 63W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Thin-Pak (8x8) Paket / Fall: 4-PowerTSFN	Auf Lager5.202
IPL65R725CFDAUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 4VSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 725mOhm @ 2.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 615pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 62.5W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Thin-Pak (8x8) Paket / Fall: 4-PowerTSFN	Auf Lager4.194
IPL70R2K1CESATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET COOLMOS 700V 8TSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager6.984
IPLU250N04S41R7XTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 8HSOF Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 250A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7900pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 188W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-HSOF-8-1 Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager2.934
IPLU300N04S41R1XTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 8HSOF Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 300A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 125µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12090pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-HSOF-8-1 Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager19.656
IPLU300N04S4R7XTMA2 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 8HSOF Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 300A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.76mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 22945pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 429W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-HSOF-8-1 Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager5.940
IPLU300N04S4R8XTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 300A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.77mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 22945pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 429W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-HSOF-8-1 Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager88.614
IPN50R1K4CEATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single CONSUMER Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 178pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT223 Paket / Fall: SOT-223-3	Auf Lager5.652
IPN50R2K0CEATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single CONSUMER Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 124pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT223 Paket / Fall: SOT-223-3	Auf Lager5.382
IPN50R3K0CEATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single CONSUMER Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 84pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT223 Paket / Fall: SOT-223-3	Auf Lager8.028

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