Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

Transistoren

Datensätze 64.903
Seite 1601/2164
Bild
Teilenummer
Beschreibung
Auf Lager
Menge
NTLUS029N06T6TAG
NTLUS029N06T6TAG

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V 6UDFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: *
  • FET-Typ: -
  • Technologie: -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (Max): -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Lieferantengerätepaket: -
  • Paket / Fall: -
Auf Lager4.716
NTLUS030N03CTAG
NTLUS030N03CTAG

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

T6 30V NCH 1.6X1.6 UDFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: µCool™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 640mW (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 6-UDFN (1.6x1.6)
  • Paket / Fall: 6-PowerUFDFN
Auf Lager25.590
NTLUS3192PZTAG
NTLUS3192PZTAG

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 20V 3.4A SGL 6UDFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.2A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±8V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 10V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 600mW (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 6-UDFN (1.6x1.6)
  • Paket / Fall: 6-PowerUFDFN
Auf Lager3.526
NTLUS3192PZTBG
NTLUS3192PZTBG

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 20V 3.4A SGL 6UDFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.2A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 3A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±8V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 10V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 600mW (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 6-UDFN (1.6x1.6)
  • Paket / Fall: 6-PowerUFDFN
Auf Lager5.994
NTLUS3A18PZCTAG
NTLUS3A18PZCTAG

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 20V 8.2A UDFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.1A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±8V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2240pF @ 15V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 6-UDFN (2x2)
  • Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad
Auf Lager3.654
NTLUS3A18PZCTBG
NTLUS3A18PZCTBG

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 20V 8.2A UDFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.1A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±8V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2240pF @ 15V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 6-UDFN (2x2)
  • Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad
Auf Lager6.570
NTLUS3A18PZCTCG
NTLUS3A18PZCTCG

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 20V 8.2A UDFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.1A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±8V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2240pF @ 15V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 6-UDFN (2x2)
  • Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad
Auf Lager5.094
NTLUS3A18PZTAG
NTLUS3A18PZTAG

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 20V 8.2A 6UDFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: µCool™
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.1A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±8V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2240pF @ 15V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 700mW (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 6-UDFN (2x2)
  • Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad
Auf Lager7.020
NTLUS3A18PZTBG
NTLUS3A18PZTBG

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 20V 8.2A 6UDFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: µCool™
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.1A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±8V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2240pF @ 15V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 700mW (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 6-UDFN (2x2)
  • Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad
Auf Lager25.512
NTLUS3A18PZTCG
NTLUS3A18PZTCG

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 20V 8.2A UDFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.1A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±8V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2240pF @ 15V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 700mW (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 6-UDFN (2x2)
  • Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad
Auf Lager27.000
NTLUS3A39PZCTAG
NTLUS3A39PZCTAG

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 20V 5.2A UDFN6

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: µCool™
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.4A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±8V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 15V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 600mW (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 6-UDFN (1.6x1.6)
  • Paket / Fall: 6-PowerUFDFN
Auf Lager8.514
NTLUS3A39PZCTBG
NTLUS3A39PZCTBG

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 20V 5.2A UDFN6

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: µCool™
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.4A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±8V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 15V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 600mW (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 6-UDFN (1.6x1.6)
  • Paket / Fall: 6-PowerUFDFN
Auf Lager2.376
NTLUS3A39PZTAG
NTLUS3A39PZTAG

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 20V 5.2A 6UDFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: µCool™
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.4A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±8V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 15V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 600mW (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 6-UDFN (1.6x1.6)
  • Paket / Fall: 6-PowerUFDFN
Auf Lager8.604
NTLUS3A39PZTBG
NTLUS3A39PZTBG

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: µCool™
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.4A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±8V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 15V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 600mW (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 6-UDFN (1.6x1.6)
  • Paket / Fall: 6-PowerUFDFN
Auf Lager7.866
NTLUS3A40PZCTAG
NTLUS3A40PZCTAG

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 20V 6.4A UDFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±8V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 15V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 700mW (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 6-UDFN (2x2)
  • Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad
Auf Lager5.418
NTLUS3A40PZCTBG
NTLUS3A40PZCTBG

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 20V 6.4A UDFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±8V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 15V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 700mW (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 6-UDFN (2x2)
  • Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad
Auf Lager7.398
NTLUS3A40PZTAG
NTLUS3A40PZTAG

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: µCool™
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±8V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 15V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 700mW (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 6-UDFN (2x2)
  • Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad
Auf Lager29.220
NTLUS3A40PZTBG
NTLUS3A40PZTBG

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: µCool™
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±8V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 15V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 700mW (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 6-UDFN (2x2)
  • Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad
Auf Lager6.714
NTLUS3A90PZCTAG
NTLUS3A90PZCTAG

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 20V 4A UDFN6

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: µCool™
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.6A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±8V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 600mW (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 6-UDFN (1.6x1.6)
  • Paket / Fall: 6-PowerUFDFN
Auf Lager4.140
NTLUS3A90PZCTBG
NTLUS3A90PZCTBG

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 20V 4A UDFN6

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: µCool™
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.6A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±8V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 600mW (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 6-UDFN (1.6x1.6)
  • Paket / Fall: 6-PowerUFDFN
Auf Lager8.604
NTLUS3A90PZTAG
NTLUS3A90PZTAG

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 20V 2.6A 6UDFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: µCool™
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.6A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±8V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 600mW (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 6-UDFN (1.6x1.6)
  • Paket / Fall: 6-PowerUFDFN
Auf Lager6.768
NTLUS3A90PZTBG
NTLUS3A90PZTBG

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 20V 3A 6UDFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.6A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±8V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 600mW (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 6-UDFN (1.6x1.6)
  • Paket / Fall: 6-PowerUFDFN
Auf Lager3.078
NTLUS3C18PZTAG
NTLUS3C18PZTAG

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.4A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±8V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 6V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 660mW (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 6-UDFN (1.6x1.6)
  • Paket / Fall: 6-PowerUFDFN
Auf Lager8.226
NTLUS3C18PZTBG
NTLUS3C18PZTBG

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.4A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±8V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 6V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 660mW (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 6-UDFN (1.6x1.6)
  • Paket / Fall: 6-PowerUFDFN
Auf Lager3.960
NTLUS4195PZTAG
NTLUS4195PZTAG

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 30V 3A SGL 6UDFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 15V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 600mW (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 6-UDFN (1.6x1.6)
  • Paket / Fall: 6-PowerUFDFN
Auf Lager5.382
NTLUS4195PZTBG
NTLUS4195PZTBG

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 30V 3A SGL 6UDFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 15V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 600mW (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 6-UDFN (1.6x1.6)
  • Paket / Fall: 6-PowerUFDFN
Auf Lager8.298
NTLUS4930NTAG
NTLUS4930NTAG

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 30V 6.3A UDFN6

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.8A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 6.1A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 476pF @ 15V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 650mW (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 6-UDFN (2x2)
  • Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad
Auf Lager3.816
NTLUS4930NTBG
NTLUS4930NTBG

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 30V 6.3A UDFN6

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.8A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 6.1A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 476pF @ 15V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 650mW (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 6-UDFN (2x2)
  • Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad
Auf Lager7.884
NTLUS4C12NTAG
NTLUS4C12NTAG

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 30V 10.7A UDFN6

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.8A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 9A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1172pF @ 15V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 630mW (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 6-UDFN (2x2)
  • Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad
Auf Lager5.022
NTLUS4C12NTBG
NTLUS4C12NTBG

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 30V 10.7A UDFN6

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.8A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 9A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1172pF @ 15V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 630mW (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 6-UDFN (2x2)
  • Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad
Auf Lager8.514