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NTMFS4839NHT3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.5A (Ta), 64A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.5nC @ 11.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2354pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 870mW (Ta), 42.4W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager8.082
NTMFS4839NT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.5A (Ta), 64A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1588pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 870mW (Ta), 41.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager3.474
NTMFS4839NT3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.5A (Ta), 64A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1588pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 870mW (Ta), 41.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager5.076
NTMFS4841NHT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 8.6A SO-8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.6A (Ta), 59A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 11.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2113pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 870mW (Ta), 41.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager5.256
NTMFS4841NHT3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 8.6A SO-8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.6A (Ta), 59A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 11.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2113pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 870mW (Ta), 41.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager2.538
NTMFS4841NT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 8.3A SO-8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.3A (Ta), 57A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1436pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 870mW (Ta), 41.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager231.540
NTMFS4841NT3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 8.3A SO-8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.3A (Ta), 57A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1436pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 870mW (Ta), 41.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager3.384
NTMFS4845NT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 13.7A SO-8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13.7A (Ta), 115A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 11.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3720pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 890mW (Ta), 62.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager12.234
NTMFS4845NT3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 13.7A SO-8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13.7A (Ta), 115A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 11.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3720pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 890mW (Ta), 62.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager3.798
NTMFS4846NT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 12.7A SO-8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12.7A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 11.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3250pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 890mW (Ta), 55.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager8.730
NTMFS4846NT3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 12.7A SO-8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12.7A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 11.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3250pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 890mW (Ta), 55.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager3.654
NTMFS4847NAT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.5A (Ta), 85A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2614pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 880mW (Ta), 48.4W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager4.698
NTMFS4847NAT3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.5A (Ta), 85A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2614pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 880mW (Ta), 48.4W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager7.704
NTMFS4847NT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.5A (Ta), 85A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2614pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 880mW (Ta), 48.4W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager8.694
NTMFS4847NT3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.5A (Ta), 85A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2614pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 880mW (Ta), 48.4W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager8.568
NTMFS4849NT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.2A (Ta), 71A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2040pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 870mW (Ta), 42.4W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager3.618
NTMFS4849NT3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.2A (Ta), 71A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2040pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 870mW (Ta), 42.4W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager3.132
NTMFS4851NT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.5A (Ta), 66A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1850pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 870mW (Ta), 41.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager2.070
NTMFS4851NT3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.5A (Ta), 66A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1850pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 870mW (Ta), 41.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager4.428
NTMFS4852NT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 16A SO8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Ta), 155A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71.3nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4970pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 900mW (Ta), 86.2W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager7.956
NTMFS4852NT3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 16A SO8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Ta), 155A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71.3nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4970pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 900mW (Ta), 86.2W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager2.916
NTMFS4854NST1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 15.2A SO-8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: SENSEFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15.2A (Ta), 149A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3.2V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 11.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4830pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 900mW (Ta), 86.2W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SO-8FL Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager8.244
NTMFS4854NST3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 15.2A SO-8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: SENSEFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15.2A (Ta), 149A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3.2V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 11.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4830pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 900mW (Ta), 86.2W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SO-8FL Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager6.120
NTMFS4897NFT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V SO-8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Ta), 171A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5660pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 950mW (Ta), 96.2W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager24.786
NTMFS4897NFT3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V SO-8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Ta), 171A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5660pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 950mW (Ta), 96.2W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager7.272
NTMFS4898NFT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V SO-8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13.2A (Ta), 117A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3233pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 930mW (Ta), 73.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager3.726
NTMFS4898NFT3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V SO-8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13.2A (Ta), 117A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3233pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 930mW (Ta), 73.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager4.608
NTMFS4899NFT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V SO-8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.4A (Ta), 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 920mW (Ta), 48W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager6.174
NTMFS4921NT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 8.8A SO8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.8A (Ta), 58.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 11.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 870mW (Ta), 38.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager5.004
NTMFS4921NT3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 8.8A SO8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.8A (Ta), 58.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 11.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 870mW (Ta), 38.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager3.834

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