Transistoren

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NVD3055-094T4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 9A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta), 48W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.608
NVD3055-094T4G-VF01 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 9A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.370
NVD3055-150T4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 9A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 28.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.906
NVD3055-150T4G-VF01 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 9A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.670
NVD3055L104T4G-VF01 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager5.436
NVD3055L170T4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 9A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta), 28.5W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.796
NVD3055L170T4G-VF01 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 9A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 28.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.844
NVD4804NT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 14A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14.5A (Ta), 124A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 11.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4490pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.43W (Ta), 107W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.238
NVD4805NT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 88A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12.7A (Ta), 95A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 11.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2865pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.41W (Ta), 79W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager6.894
NVD4806NT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 76A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.3A (Ta), 79A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2142pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta), 68W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.248
NVD4808NT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 63A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Ta), 63A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1538pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta), 54.6W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.942
NVD4809NHT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 58A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta), 58A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 11.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2155pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta), 52W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.186
NVD4809NT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 58A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.6A (Ta), 58A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 11.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1456pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta), 52W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.672
NVD4810NT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 54A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta), 54A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.428
NVD4810NT4G-TB01 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 54A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta), 54A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 11.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.038
NVD4810NT4G-VF01 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 54A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta), 54A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 11.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK (SINGLE GAUGE) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.172
NVD4813NHT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 40A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.6A (Ta), 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 940pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.27W (Ta), 35.3W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.526
NVD4815NT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 6.9A DPAK-4 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.9A (Ta), 35A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.524
NVD4856NT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 89A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13.3A (Ta), 89A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2241pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.33W (Ta), 60W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager6.192
NVD4856NT4G-VF01 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 89A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager2.088
NVD5117PLT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V 61A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Ta), 61A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4.8nF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4.1W (Ta), 118W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.158
NVD5117PLT4G-VF01 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V 61A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Ta), 61A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4.1W (Ta), 118W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager119.508
NVD5407NT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 7.6A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager2.394
NVD5413NT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 30A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1725pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 68W (Tc) Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.978
NVD5414NT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 24A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 24A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 55W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.064
NVD5484NLT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 54A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.7A (Ta), 54A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1410pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.9W (Ta), 100W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.688
NVD5490NLT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 17A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Ta), 17A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.4W (Ta), 49W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.506
NVD5802NT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16.4A (Ta), 101A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5300pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 93.75W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.578
NVD5802NT4G-TB01 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 101A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16.4A (Ta), 101A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5300pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 93.75W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager6.948
NVD5802NT4G-VF01 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 101A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager5.544

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