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NVHL027N65S3F ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single SUPERFET3 650V TO247 PKG Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7780pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 595W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager8.436
NVHL040N65S3F ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single SUPERFET3 650V TO247 PKG Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 65A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5875pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 446W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager9.756
NVHL072N65S3 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single SUPERFET3 650V TO247 PKG Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 44A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3300pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 312W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager8.532
NVHL080N120SC1 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single SIC MOS TO247-3L 80MW 120 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 44A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 20V Vgs (Max): +25V, -15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1670pF @ 800V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 348W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager8.856
NVHL082N65S3F ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single SUPERFET3 650V FRFET82MO Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3410pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 313W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager3.906
NVHL110N65S3F ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single SUPERFET3 650V FRFET110M Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2560pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 240W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager8.160
NVJS3151PT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 12V SOT-363 Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager2.646
NVJS4151PT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363 Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Auf Lager59.400
NVJS4405NT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 1.2A SC88 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 630mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363 Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Auf Lager2.682
NVLUS4C12NTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 10.7A 6UDFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1172pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 630mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-UDFN (2x2) Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad	Auf Lager3.204
NVMFD6H852NLT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single FET NCH 80V Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Ta), 25A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 521pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.2W (Ta), 38W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager6.642
NVMFD6H852NLWFT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single FET NCH 80V Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Ta), 25A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 521pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.2W (Ta), 38W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager4.788
NVMFS4841NT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 89A SO-8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1436pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.7W (Ta), 112W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager6.354
NVMFS4841NWFT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 89A SO8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1436pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.7W (Ta), 112W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager2.016
NVMFS4C01NT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 49A (Ta), 319A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10144pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.84W (Ta), 161W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager3.204
NVMFS4C01NT3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 49A (Ta), 319A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10144pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.84W (Ta), 161W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager5.886
NVMFS4C01NWFT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 49A (Ta), 319A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10144pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.84W (Ta), 161W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager4.428
NVMFS4C01NWFT3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 49A (Ta), 319A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10144pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.84W (Ta), 161W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager8.010
NVMFS4C03NT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 31.4A (Ta), 143A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3071pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.71W (Ta), 77W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager13.848
NVMFS4C03NT3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 31.4A (Ta), 143A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3071pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.71W (Ta), 77W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager2.340
NVMFS4C03NWFT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 31.4A (Ta), 143A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3071pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.71W (Ta), 77W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager5.544
NVMFS4C03NWFT3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 31.4A (Ta), 143A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3071pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.71W (Ta), 77W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager6.552
NVMFS4C05NT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 24.7A (Ta), 116A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1972pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.61W (Ta), 79W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager7.398
NVMFS4C05NT3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 24.7A (Ta), 116A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1972pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.61W (Ta), 79W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager41.616
NVMFS4C05NWFT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 24.7A (Ta), 116A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1972pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.61W (Ta), 79W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager16.932
NVMFS4C05NWFT3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 24.7A (Ta), 116A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1972pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.61W (Ta), 79W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager8.946
NVMFS4C302NT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single NFET SO8FL 30V 1.15MO Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 43A (Ta), 241A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5780pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.75W (Ta), 115W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager2.646
NVMFS4C302NWFT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single NFET SO8FL 30V 1.15MO Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 43A (Ta), 241A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5780pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.75W (Ta), 115W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager6.408
NVMFS4C310NT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V TRENCH Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Ta), 51A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.5W (Ta), 32W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager14.154
NVMFS4C310NT3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V TRENCH Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager5.814

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