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Transistoren

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NVMFS5C646NLAFT1G
NVMFS5C646NLAFT1G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V 20A 93A 5DFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta), 93A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2164pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.7W (Ta), 79W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager3.472
NVMFS5C646NLAFT3G
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ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V 20A 93A 5DFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta), 93A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2164pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.7W (Ta), 79W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager5.112
NVMFS5C646NLT1G
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ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V 20A SO8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta), 93A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2164pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.7W (Ta), 79W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager3.870
NVMFS5C646NLT3G
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ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V 20A SO8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta), 93A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2164pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.7W (Ta), 79W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager5.850
NVMFS5C646NLWFAFT1G
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ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V 20A 93A 5DFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta), 93A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2164pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.7W (Ta), 79W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager7.326
NVMFS5C646NLWFAFT3G
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ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V 20A 93A 5DFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta), 93A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2164pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.7W (Ta), 79W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager3.114
NVMFS5C646NLWFT1G
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ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V 20A SO8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta), 93A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2164pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.7W (Ta), 79W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager5.094
NVMFS5C646NLWFT3G
NVMFS5C646NLWFT3G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V 20A SO8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta), 93A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2164pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.7W (Ta), 79W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager5.220
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ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CHANNEL 60V 17A 5DFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 53µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 61W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager8.082
NVMFS5C670NLAFT3G
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ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V 17A 71A 5DFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Ta), 71A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 53µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 61W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager7.524
NVMFS5C670NLT1G
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ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V 71A SO8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Ta), 71A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 61W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager8.244
NVMFS5C670NLT3G
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ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V 71A SO8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Ta), 71A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 61W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager3.474
NVMFS5C670NLWFAFT1G
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ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V 17A 71A 5DFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Ta), 71A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 53µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 61W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager27.696
NVMFS5C670NLWFAFT3G
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ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V 17A 71A 5DFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Ta), 71A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 53µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 61W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager2.520
NVMFS5C670NLWFT1G
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ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V 71A SO8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Ta), 71A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 61W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager2.988
NVMFS5C670NLWFT3G
NVMFS5C670NLWFT3G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V 71A SO8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Ta), 71A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 61W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager6.678
NVMFS5C673NLAFT1G
NVMFS5C673NLAFT1G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CHANNEL 60V 50A 5DFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 46W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager4.410
NVMFS5C673NLAFT3G
NVMFS5C673NLAFT3G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CHANNEL 60V 50A 5DFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 46W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager7.146
NVMFS5C673NLT1G
NVMFS5C673NLT1G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V SO8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 46W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager5.832
NVMFS5C673NLT3G
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ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V SO8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 46W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager2.826
NVMFS5C673NLWFAFT1G
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ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CHANNEL 60V 50A 5DFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 46W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager2.196
NVMFS5C673NLWFAFT3G
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ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CHANNEL 60V 50A 5DFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 46W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager4.068
NVMFS5C673NLWFT1G
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ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V SO8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 46W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager5.598
NVMFS5C673NLWFT3G
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ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V SO8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 46W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager4.680
NVMFS5C677NLT1G
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ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

T6 60V S08FL SINGLE

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Ta), 36A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.5W (Ta), 37W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager8.964
NVMFS5C677NLWFT1G
NVMFS5C677NLWFT1G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

T6 60V S08FL SINGLE

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Ta), 36A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.5W (Ta), 37W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager3.528
NVMFS5C680NLT1G
NVMFS5C680NLT1G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

T6 60V S08FL SINGLE

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.1A (Ta), 21A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 7.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.4W (Ta), 24W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager7.470
NVMFS5C680NLWFT1G
NVMFS5C680NLWFT1G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

T6 60V S08FL SINGLE

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.1A (Ta), 21A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 7.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.4W (Ta), 24W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager2.826
NVMFS5C682NLAFT1G
NVMFS5C682NLAFT1G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V 8.8A 25A 5DFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.8A (Ta), 25A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 16µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager6.660
NVMFS5C682NLAFT3G
NVMFS5C682NLAFT3G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V 8.8A 25A 5DFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.8A (Ta), 25A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 16µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager7.722