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Transistoren

Datensätze 64.903
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Beschreibung
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NVMFS5C442NT1G
NVMFS5C442NT1G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 40V SO8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager2.394
NVMFS5C442NT3G
NVMFS5C442NT3G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 40V SO8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager6.390
NVMFS5C442NWFAFT1G
NVMFS5C442NWFAFT1G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 40V 29A 140A 5DFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 29A (Ta), 140A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager5.184
NVMFS5C442NWFAFT3G
NVMFS5C442NWFAFT3G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 40V 29A 140A 5DFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 29A (Ta), 140A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager8.262
NVMFS5C442NWFT1G
NVMFS5C442NWFT1G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 40V SO8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager7.308
NVMFS5C442NWFT3G
NVMFS5C442NWFT3G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 40V SO8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager2.916
NVMFS5C450NAFT1G
NVMFS5C450NAFT1G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 40V 24A 102A 5DFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 24A (Ta), 102A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 65µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 68W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager5.472
NVMFS5C450NAFT3G
NVMFS5C450NAFT3G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 40V 24A 102A 5DFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 24A (Ta), 102A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 65µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 68W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager6.282
NVMFS5C450NLAFT1G
NVMFS5C450NLAFT1G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 40V DFN5

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 110A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 20V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 68W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager7.182
NVMFS5C450NLAFT3G
NVMFS5C450NLAFT3G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 40V 110A U8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 27A (Ta), 110A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 20V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.7W (Ta), 68W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager2.502
NVMFS5C450NLT1G
NVMFS5C450NLT1G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 40V 110A SO8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 20V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.7W (Ta), 68W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager2.700
NVMFS5C450NLT3G
NVMFS5C450NLT3G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 40V 110A SO8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 20V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.7W (Ta), 68W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager7.596
NVMFS5C450NLWFAFT1G
NVMFS5C450NLWFAFT1G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 40V DFN5 WETTABLE

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 110A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 20V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 68W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount, Wettable Flank
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager3.690
NVMFS5C450NLWFAFT3G
NVMFS5C450NLWFAFT3G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 40V 110A U8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 27A (Ta), 110A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 20V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.7W (Ta), 68W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager8.856
NVMFS5C450NLWFT1G
NVMFS5C450NLWFT1G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 40V 110A SO8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 20V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.7W (Ta), 68W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager5.688
NVMFS5C450NLWFT3G
NVMFS5C450NLWFT3G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 40V 110A SO8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 20V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.7W (Ta), 68W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager4.734
NVMFS5C450NT1G
NVMFS5C450NT1G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 40V SO8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 65µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 68W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager7.902
NVMFS5C450NT3G
NVMFS5C450NT3G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 40V SO8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 65µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 68W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager4.950
NVMFS5C450NWFAFT1G
NVMFS5C450NWFAFT1G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 40V 24A 102A 5DFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 24A (Ta), 102A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 65µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 68W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager3.510
NVMFS5C450NWFAFT3G
NVMFS5C450NWFAFT3G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 40V 24A 102A 5DFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 24A (Ta), 102A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 65µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 68W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager3.330
NVMFS5C450NWFT1G
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ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 40V SO8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 65µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 68W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager2.538
NVMFS5C450NWFT3G
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ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 40V SO8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 65µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 68W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager2.592
NVMFS5C456NLAFT1G
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ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 40V DFN5

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 87A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 55W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager3.600
NVMFS5C456NLAFT3G
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ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 40V 87A U8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Ta), 87A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 55W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager3.418
NVMFS5C456NLT1G
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ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 40V SO8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 55W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager4.932
NVMFS5C456NLT3G
NVMFS5C456NLT3G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 40V SO8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 55W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager4.032
NVMFS5C456NLWFAFT1G
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ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 40V DFN5 WETTABLE

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 87A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 55W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount, Wettable Flank
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager3.942
NVMFS5C456NLWFAFT3G
NVMFS5C456NLWFAFT3G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 40V 87A U8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Ta), 87A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 55W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager8.838
NVMFS5C456NLWFT1G
NVMFS5C456NLWFT1G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 40V SO8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 55W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager2.520
NVMFS5C456NLWFT3G
NVMFS5C456NLWFT3G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 40V SO8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 55W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager5.004